SBX2030 ... SBX2050
SBX2030 ... SBX2050
2
nd
Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers
2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2014-07-18
Nominal current
Nennstrom
Ø 8
±0.1
20 A
30...50 V
Ø 8 x 7.5 [mm]
2.0 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
On request taped on 13” reel
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle
62.5
±0.5
Ø 1.6
±0.05
7.5
±0.1
Green Molding
Halogen-Free
1
Dimensions - Maße [mm]
Features
Up to 50V reverse voltage at low V
F
Lowest value R
thL
for lowest T
j
Best trade-off between V
F
and I
R 2
)
1000pcs/13” reel for longer reel change intervals
Maximum ratings and characteristics
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung
V
RRM
[V] / V
RSM
[V]
30
40
45
50
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] T
j
= 125°C
I
F
= 5 A
SBX2030
SBX2040
SBX2045
SBX2050
typ. 0.30
typ. 0.30
typ. 0.30
typ. 0.32
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
Vorteile
Bis zu 50V Sperrspannung bei niedrigem V
F
Niedrigster R
thL
Wert für niedrigstes T
j
Optimaler Kompromiss zwischen V
F
und I
R 2
)
1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen
Grenz- und Kennwerte
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] T
j
= 25°C
I
F
= 5 A
< 0.45
< 0.45
< 0.45
< 0.47
I
FAV
I
FSM
i
2
t
T
j
T
j
T
S
I
F
= 20 A
< 0.59
< 0.59
< 0.59
< 0.61
20 A
3
)
290/330 A
420 A
2
s
-50...+150°C
≤ 200°C
2
)
-50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
From 1H/2012 – Ab 1H/2012
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
SBX2030 ... SBX2050
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte
120
[%]
100
10
80
1
T
j
= 25°C
Kennwerte
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
V
R
= V
RRM
R
thA
R
thL
I
R
< 500 µA
typ. 25 mA
< 10 K/W
1
)
< 2.1 K/W
2
)
10
2
[A]
T
j
= 125°C
60
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
I
F
10
-2
0
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
0.4
0.6
1.0
V
F
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
3
[mA]
10
2
T
j
= 125°C
T
j
= 150°C
10
T
j
= 75°C
1
I
R
10
-1
0
T
j
= 25°C
V
RRM
40
60
80
100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
京公网安备 11010802033920号
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