GBI10A ... GBI10M
GBI10A ... GBI10M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2014-09-08
30
±0.2
3.6
Type
Typ
±0.2
4.6
±0.2
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
10 A
50...1000 V
30 x 20 x 3.6 [mm]
7g
20
±0.2
±0.2
4
2.7
17.5
±0.2
2.2
1.0
10
2x7.5
11
±0.2
±0.2
5
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
±0.2
0.8
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
GBI10A
GBI10B
GBI10D
GBI10G
GBI10J
GBI10K
GBI10M
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M3
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
V
VRMS
[V]
35
70
140
280
420
560
700
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
1
)
50
100
200
400
600
800
1000
I
FRM
I
FSM
i
2
t
40 A
2
)
180/200 A
160 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
7 ± 10% lb.in.
0.8 ± 10% Nm
T
j
T
S
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
GBI10A ... GBI10M
Characteristics
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
Max. rectified current with forced cooling
Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
T
A
= 50°C
T
C
= 100°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
R-load
C-load
R-load
C-load
I
F
= 5 A
V
R
= V
RRM
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FAV
V
F
I
R
R
thJA
R
thJC
Kennwerte
3.0 A
1
)
2.4 A
1
)
10.0 A
8.0 A
< 1.1 V
2
)
< 5 µA
< 22 K/W
1
)
< 2.2 K/W
Type
Typ
GBI10A
GBI10B
GBI10D
GBI10G
GBI10J
GBI10K
GBI10M
120
[%]
100
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
C
L
[µF]
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
10
3
[A]
10
2
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
R
L
[Ω]
0.25
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.5
80
10
T
j
= 125°C
60
40
1
20
I
FAV
0
0
T
C
50
100
150
[°C]
I
F
10
-1
0.4
T
j
= 25°C
225a-(5a-1.1v)
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Valid, if leads are kept to ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
Microchip MCU
京公网安备 11010802033920号
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