GBU4A ... GBU4M
GBU4A ... GBU4M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2013-12-10
3.4
±0.1
21.5
5.6
3.6
±0.2
±0.7
Nominal current
Nennstrom
18.2
±0.3
5.3
+0.5
4A
35...700 V
21.5 x 18.2 x 3.4 [mm]
3.8 g
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
1.7
±0.1
–
GBU ...
~ ~ +
1.8
+0.2
2.2
0.5
+0.1
1.1
+0.2
- 0.1
1.8
+0.7
5.08
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
GBU4A
GBU4B
GBU4D
GBU4G
GBU4J
GBU4K
GBU4M
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M3
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
V
VRMS
[V]
35
70
140
280
420
560
700
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
1
)
50
100
200
400
600
800
1000
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
27 A
1
)
135/150 A
91 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
1
1
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
GBU4A ... GBU4M
Characteristics
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
Max. rectified current with cooling fin 300 cm
2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm
2
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
T
A
= 50°C
T
A
= 50°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
R-load
C-load
R-load
C-load
I
F
= 4 A
V
R
= V
RRM
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FAV
V
F
I
R
R
thC
Kennwerte
2.8 A
1
)
2.2 A
1
)
4.0 A
3.2 A
< 1.0 V
2
)
< 5 µA
< 3.3 K/W
Type
Typ
GBU4A
GBU4B
GBU4D
GBU4G
GBU4J
GBU4K
GBU4M
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
C
L
[µF]
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
R
t
[Ω]
0.25
0.5
1.0
2.0
4.0
5.0
6.5
120
[%]
100
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
80
T
j
= 25°C
60
1
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
I
F
10
-2
180a-(4a-1v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature T
A
= 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur T
A
= 50°C gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
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© Diotec Semiconductor AG
2
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