P2500T ... P2500Y
P2500T ... P2500Y
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2014-06-06
Nominal current
Nennstrom
Ø 8
±0.1
25 A
1300...2000 V
Ø 8 x 7.5 [mm]
2.0 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
62.5
±0.5
Type
Ø 1.2
±0.05
7.5
±0.1
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
P2500T
P2500W
P2500X
P2500Y
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
1300
1600
1800
2000
T
A
= 50°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1300
1600
1800
2000
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
25 A
1
)
100 A
1
)
500/550 A
1250 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
P2500T ... P2500Y
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 5 A
I
F
= 25 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 0.90 V
< 1.10 V
< 10 µA
< 4 K/W
1
)
< 2.0 K/W
120
[%]
100
10
3
[A]
10
2
80
10
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
60
40
1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
1
)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
)
I
F
10
-1
400a-(5a-0.9v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
3
[A]
10
2
î
F
10
1
10
10
2
[n]
10
3
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG
2
51mcu
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