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JST120

Description
Triac Chip
File Size226KB,2 Pages
ManufacturerJie Jie Semiconductor
Websitehttp://www.jiejie-cn.com/
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JST120 Overview

Triac Chip

JST120
型四象限双向晶闸管芯片
○ 芯片特征:
门极逻辑电平触发
P
对通扩散隔离
单面台面结构
台面玻璃钝化工艺
正面电极金属:AL
背面电极金属:Ti-Ni-Ag
○ 芯片尺寸:1.2mm×1.2mm
○ 主要用途:风扇调速、灯光亮度调整
等小功率交流相控电路。
○ 可替换型号:MAC97A6,MAC97A8,
Z00607。
○ 器件线路符号:
(芯片代码:CP301)
○产品极限参数
(封装成
TO-92
后,除非另有规定,T
CASE
=25℃)
参数名称
结温范围
正向断态重复峰值电压
反向断态重复峰值电压
通态均方根电流
T
C
=50℃
通态浪涌电流
F=50Hz,tp=10mS
I
2
t
tp=10mS
I
2
t
dI/dt
门极峰值电流
Tj=110℃
Tj=110℃
Tj=110℃
0.40
50
50
50
10
1
1
0.1
数 值
≤1.5
≤5
≤100
≤5
≤100
≤7
≤10
≤20
≤5
≤12
≤1.3
≥0.2
V
V
mA
A
W
W
单 ½
V
uA
uA
uA
uA
mA
mA
A/uS
A
2
S
符 号
Tj
V
DRM
V
RRM
I
T
RMS
I
TSM
单 ½
V
V
A
A
-40½110
400/600
400/600
0.8
9
通态电流临界上升率
I
T
=1A,I
G
=0.2A,
dI
G
/dt=0.2A/uS
T
2
G
○ 芯片结构图:
T
1
I
GM
P
GM
P
G
AV
门极峰值功率
门极平均功率
产品电性½
(封装成
TO-92
后,除非另有规定,T
CASE
=25℃)
特性和测试条件
通态峰值电压
V
D
=V
DRM
V
R
=V
RRM
I
T
=1.1A
T
C
=110℃
T
C
=110℃
I
T
=0.2A
V
TM
I
DRM1
I
DRM2
I
RRM1
I
RRM2
I
H
I
L
(Ⅰ-Ⅲ-Ⅳ)
正向断态峰值电流
T
C
=25℃
J ST 120芯片结构图
(单½:
um
)
反向断态峰值电流
T
C
=25℃
T1
G
维持电流
擎½电流
I
G
=1.2 I
GT
门极触发电流
V
D
=12V
门极触发电压
I
L
(Ⅱ)
I
GT
(Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ)
I
GT
(Ⅳ)
V
D
=12V
Tj=110℃
R
L
=3.3KΩ
dV/dt
V
GT
V
GD
G(AL)
T1(AL)
门极不触发电压
V
D
=V
DRM
断态电压临界上升率
≥30
V/uS
T2(Ti-Ni-Ag)
V
D
=2/3V
DRM
, Tj=110℃
门极开路

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Datasheet   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
Room 1530, 15th Floor, Building B, No. 18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing Telephone: (010) 82350740 Postal Code: 100190
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