GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
3.0
2.6
2.3
2.1
2.1
1.7
0.1 (typ)
0.9
0.7
SFH 421
SFH 426
fpl06724
3.4
3.0
2.4
0.8
0.6
Cathode/Collector marking
Approx. weight 0.03 g
1.1
0.5
0.18
0.6
0.12
0.4
Cathode/Collector
GPL06724
3.7
3.3
SFH 421 TOPLED
®
(2.4)
2.8
2.4
4.2
3.8
0.7
Cathode/
Collector
2.54
spacing
1.1
0.9
Anode/
Emitter
(2.85)
GPL06880
Collector/Cathode marking
(2.9)
SFH 426 SIDELED
®
4.2
3.8
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
q
Gute Linearität (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
q
Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Oberflächenmontage geeignet
q
Gegurtet lieferbar
q
SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320/420
SFH 426 Gehäusegleich mit SFH 325/425
q
SFH 426: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet.
Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns.
Features
q
Very highly efficient GaAIAs-LED
q
Good Linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
q
DC (with modulation) or pulsed operations
are possible
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
Suitable for surface mounting (SMT)
q
Available on tape and reel
q
SFH 421 same package as SFH 320/420
SFH 426 same package as SFH 325/425
q
SFH 426: Suitable only for IR-reflow
soldering. In case of dip soldering, please
contact us first.
1997-11-01
Semiconductor Group
1
fpl06867
(R1)
3.8
3.4
SFH 421
SFH 426
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For drive and control circuits
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED
SIDELED
SFH 421
SFH 426
Q62702-P1055
Q62703-P0331
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaβstrom
Forward current
Stoβstrom,
τ =
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
100
5
100
2.5
180
450
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
2
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
Thermal resistance junction - ambient mounted on
PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
≈
200
K/W
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaβspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
∆λ
80
nm
ϕ
±
60
0.16
0.4
×
0.4
0.5
Grad
deg.
mm
2
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.5
(≤
1.8)
3.0
(≤
3.8)
0.01
(≤
1)
V
V
µA
Φ
e
23
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.25
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping at radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
Symbol
I
e
Werte
Values
>4
Einheit
Unit
mW/sr
I
e typ.
48
mW/sr
Radiant intensity
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
OHR00878
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
2
Ι
e
Ι
e (100mA)
10
1
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
120
OHR00883
Ι
F
mA
100
80
60
10
0
R
thjA
= 450 K/W
60
40
10
-1
40
20
10
-2
20
0
750
10
-3
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward current
I
F
=
f
(V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
1
OHR00881
Radiation characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
ϕ
Ι
F
A
50˚
1.0
10
0
0.8
0.6
60˚
10
-1
70˚
0.4
0.2
10
-2
80˚
90˚
100˚
0
10
-3
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 421
SFH 426
Löthinweise
Soldering conditions
Bauform
Types
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, wave and drag soldering
Lötbad-
temperatur
Maximal
zulässige
Lötzeit
Max. perm.
soldering
time
8s
–
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Distance
between
solder joint
and case
–
–
Reflowlötung
Reflow soldering
Lötzonen-
temperatur
Maximale
Durchlaufzeit
Temperature
of the
soldering
bath
TOPLED
SIDELED
260
°C
–
Temperature
of soldering
zone
245
°C
≥
225
°C
Max. transit
time
10 s
10 s
Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff.
For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on
page 169ff.
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(t
p
)
duty cycle
D
= Parameter,
T
A
= 25
°C
10
4
mA
OHR00886
Ι
F
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
10
3
0.1
0.2
0.5
10
2
DC
t
p
D
=
T
t
p
Ι
F
T
10
1 -5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
Semiconductor Group
5
1997-11-01
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
