Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1081N
Key Parameters
enndaten
V
DRM
/ V
RRM
I
TAVM
I
TSM
v
T0
r
T
R
thJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
6000V … 7000V
1300A (T
C
=85°C)
35000A
3570A (T
C
=55°C)
1,18V
0,759mΩ
8,0K/kW
36 … 52kN
121mm
86mm
26mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Hohe Einschalt di/dt Fähigkeit
Features
Full blocking 50/60Hz over a wide range temperature
range
High DC blocking stability
High surge current capability
High case non-rupture current
High di/dt capability
Typische Anwendungen
Mittelspannungssanftanlasser
Statische Kompensation SVC
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mittelspannungsumrichter
Kurzschließer-Applikationen
Typical Applications
Medium Voltage Softstarter
Static Var Compensation SVC
Rectifier for Drives Applications
Medium Voltage Drives
Crowbar Applications
4 5
content of customer DMX code
serial number
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class
QR class
DMX code
digit
1..7
8..16
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
DMX code
digit quantity
7
9
2
2
2
4
4
1
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Seite/page: 1/11
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 8.0
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T1081N
V
DRM
,V
RRM
6000
6500
7000
2040
V
V
V
A
Elektrische Eigenschaften
T
C
= 85 °C
T
C
= 85 °C
T
C
= 70 °C
T
C
= 55 °C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter H
I
TRMSM
I
TAVM
1300 A
1560 A
1800 A
35000 A
34000 A
6120 10³ A²s
5780 10³ A²s
300 A/µs
2000 V/µs
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
Charakteristische Werte / characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
200A
i
F
2500A
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 2000A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
T
V
(TO)
r
T
typ.
A
B
C
D
A
B
C
D
typ.
Max.
typ.
max.
typ.
Max.
2,55 V
2,7 V
1,12 V
1,18 V
0,714 mΩ
0,759 mΩ
v
T
½
A
B
i
T
C
Ln ( i
T
1)
D
i
T
max.
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
prepared by: TM
approved by: JP
date of publication:
revision:
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
0,00017
0,000408
0,159
0,0117
0,00016
0,000509
0,184
0,00634
max.
350 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
2,5 V
20 mA
10 mA
0,4 V
350 mA
3 A
400 mA
2 µs
T
vj
= 25°C, v
D
= 12 V, R
GK
≥ 10 Ω
I
L
i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs, t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 60747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 3 A, di
G
/dt = 6 A/µs
2011-05-02
8.0
i
D
, i
R
t
gd
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Revision: 8.0
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technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T1081N
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
T
vj
= T
vj max
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5V
RRM
, V
RM
= 0,8V
RRM
T
vj
= T
vj max
i
TM
= I
TAVM
, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5V
RRM
, V
RM
= 0,8V
RRM
t
q
typ.
600
µs
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Q
r
max.
10
mAs
I
RM
max.
250
A
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
8,6
8,0
15,0
17,0
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
2,5 K/kW
5,0 K/kW
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Seite 4
page 4
F
DIN 46244
Gate
Kathode /Cathode
G
36...52
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
typ.
kN
1500 g
33 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
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technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1081N
Maßbild
1:
Anode/anode
4 5
1
2
2:
Kathode/cathode
4:
Gate
5:
Hilfskathode/
cathode (control terminal)
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T1081N
Durchlasskennlinie
2
2,2
0,39
2,8
0,5
2,8
0,5
3
0,8
0,16
0,8
0,16
0,8
0,16
4
2,8
0,12
2,8
0,12
2,8
0,12
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
/
analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
R
thn
[K/kW]
τ
n
[s]
R
thn
[K/kW]
τ
n
[s]
R
thn
[K/kW]
τ
n
[s]
1
1,6
1,72
8
8,5
10
10
5
0,6
0,005
0,6
0,005
0,6
0,005
6
7
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Analytische Funktion / analytical function:
Z
thJC
½
n
max
n=1
R
thn
1
e
n
-t
18
ci
ai
16
14
12
10
8
bi
6
4
2
0
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / transient thermal impedance Z
thJC
= f(t) for DC
a
: Anodenseitige Kühlung / anode-sided cooling
b
: Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
c
: Kathodenseitige Kühlung / cathode-sided cooling
Date of Publication: 2011-05-02
Revision: 8.0
Z
th JC
[K/kW]
Seite/page: 5/11
Analog electronics
京公网安备 11010802033920号
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