注文コード No. N 6 9 6 9 A
MCH6617
No.
N 6 9 6 9 A
D2002
半導½ニューズ No.N6969 とさしかえてください。
MCH6617
特長
・½オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
P チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・MOS ½電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可½で
ある。
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・½ース電圧
ゲート・½ース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm
2
× 0.8mm)装着時 1unit
− 20
± 10
− 1.0
− 4.0
0.8
150
− 55 ∼＋ 150
min
− 20
typ
unit
V
V
A
A
W
℃
℃
max
−1
± 10
− 0.4
0.84
− 1.3
1.2
380
540
115
23
15
500
760
unit
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
次ページへ続く。
電気的特性
Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・½ース降伏電圧
V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0
ドレイン・½ースしゃ断電流
ゲート・½ースもれ電流
ゲート・½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
単½品名表示：FR
IDSS
IGSS
VGS(off)
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
VDS= − 20V, VGS=0
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 500mA
ID= − 500mA, VGS= − 4V
ID= − 300mA, VGS= − 2.5V
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
外½図 2173A
(unit : mm)
0.25
0.3
0.15
4
5
6
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を
要する用途
（生½維持装½、
航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）
に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
2.1
1.6
0.25
3 2
0.65
2.0
0.07
1
6
5
4
0.85
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
SANYO : MCPH6
1
2
3
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
D2002 TS IM SW 図変 / 71001 TS IM ◎½藤 TA-3263 No.6969-1/4
MCH6617
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
総ゲート電荷量
ゲート・½ース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
スイッチングタイム測定回路図
VIN
0V
--4V
VIN
ID= --500mA
RL=20Ω
VOUT
VDD= --10V
typ
8
6
15
7
1.5
0.4
0.3
− 0.9
max
unit
ns
ns
ns
ns
nC
nC
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
指定回路において
〃
〃
〃
VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 1A
IS= − 1A, VGS=0
電気的接続図
D1
G2
S2
− 1.5
nC
V
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
S1
G1
D2
P.G
MCH6617
50Ω
S
--
1.0
V
--4.0
ID -- VDS
0V
--
2.0
--
1.8
--
1.6
ドレイン電流, ID -- A
ID -- VGS
25
°
C
Ta
0
0.5
1.0
5V
--3.
--2
.
ドレイン電流, ID -- A
--
0.7
--
0.6
--
0.5
--
0.4
--
0.3
--
0.2
--
0.1
0
0
0V
--2.
--
1.4
--
1.2
--
1.0
--
0.8
5
°
C
°
C
--25
°
C
--
0.2
--
0.1
--
0.2
--
0.3
--
0.4
--
0.5
--
0.6
--
0.7
--
0.8
--
0.9
--
1.0
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
IT03368
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
Ta
--
0.4
25
=7
VGS= --1.5V
--
0.6
1.5
2.0
25
2.5
°
C
--
0.8
= --
75
3.0
IT03369
140
160
IT03371
--
0.9
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
RDS(on) -- VGS
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
RDS(on) -- Ta
Ta=25°C
ID=
--0.3A --0.5A
5V
= --2.
VGS
,
--0.3A
I D=
V
= --4.0
, V GS
0.5A
I D= --
--
2
--
4
--
6
--
8
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
--
10
IT03370
周囲温度, Ta --
°C
No.6969-2/4
°
C
VDS= --10V
MCH6617
3
2
y
fs -- ID
VDS= --10V
--10
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS=0
順伝達アドミタンス,
y
fs -- S
7
5
T
C
-25
°
a= -
75
°
C
順電流, IF -- A
1.0
C
25
°
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
3
2
0.1
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
5
ドレイン電流, ID -- A
3
--1.0
IT03372
7
--0.01
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
Ta=
--0.6
--0.7
--25
°
C
--0.8
--0.9
25
°
C
75
°
C
--1.0
--1.1
--1.2
SW Time -- ID
3
2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT03373
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2
100
5
VDD= --10V
VGS= --4V
Ciss, Coss, Crss -- pF
7
Ciss
100
7
5
2
10
7
5
3
2
1.0
td(off)
td(on)
tf
tr
3
3
2
Coss
Crss
10
2
--
0.1
--
1.0
ドレイン電流, ID -- A
3
5
7
2
3
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
IT03374
--
4.0
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
--
3.5
--
3.0
--
2.5
--
2.0
--
1.5
--
1.0
--
0.5
0
0
0.2
0.4
VGS -- Qg
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
IT03375
--
10
7
5
3
2
ASO
VDS= --10V
ID= --1A
IDP= --4.0A
＜10µs
1m
s
ドレイン電流, ID -- A
--
1.0
7
5
3
2
ID= --1.0A
10
DC
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
ms
op
s
er
ati
on
0m
--
0.1
7
5
3
2
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
--
0.01
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm
2
×0.8mm)装着時 1unit
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
--0.1
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.0
IT03376
PD -- Ta
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
IT03377
0.8
許容損失, PD -- W
0.6
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(9
00
m
0.4
m
2
×
0.8
m
m
0.2
)装
着
時
1u
ni
t
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
周囲温度, Ta --
°C
IT03378
No.6969-3/4
MCH6617
本書記載の½品は、定められた条件下において、記載部品単½の性½・特性・機½などを規定するものであ
り、お客様の½品（機器）での性½・特性・機½などを保証するものではありません。部品単½の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の½品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の½品を供給することに努めております。しかし、半導½½品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人½にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可½性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動½防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.6969-4/4
京公网安备 11010802033920号
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