2011-05-27
GaAs Infrared Emitter Arrays
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
Version 1.0
LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD
267, LD 268, LD 269
• GaAs infrared emitting diode
• Leadframe arrays, available from 2 to 10 Emitters
per array
• Colour: transparent
• High reliability
• Same package as BPX 80 series
• Miniature package
Features:
• GaAs-IR-Lumineszenzdiode
• Zeilenbauform, lieferbar von 2 bis 10 Emitter pro
Zeile
• Farbe: transparent
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gehäusegleich mit BPX 80-Serie
• Miniatur Gehäuse
Besondere Merkmale:
Applications
•
•
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Barcode reader
Industrial electronics
For control and drive circuits
Sensor technology
Speed controller
•
•
•
•
•
•
Anwendungen
Miniaturlichtschranken
Barcode-Leser
Industrieelektronik
„Messen/Steuern/Regeln”
Sensorik
Drehzahlsteuerung
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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Version 1.0 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268,
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
LD 262
LD 263
LD 264
LD 265
LD 266
LD 267
LD 268
LD 269
LD 260
Note:
Anm::
Ordering Code
Bestellnummer
5 (≥ 2.5)
5 (≥ 2.5)
5 (≥ 2.5)
5 (≥ 2.5)
5 (≥ 2.5)
5 (≥ 2.5)
5 (≥ 2.5)
5 (≥ 2.5)
5 (≥ 2.5)
Measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Q62703Q0070
Q62703Q0071
Q62703Q0072
Q62703Q0073
Q62703Q0074
Q62703Q0075
Q62703Q0076
Q62703Q0077
Q62703Q0078
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
≤
10
μs,
D = 0)
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 80
5
50
1.6
Unit
Einheit
°C
V
mA
A
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Version 1.0 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268,
Parameter
Bezeichnung
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
Thermal resistance junction - lead
Wärmewiderstand Sperrschicht - Anschluss
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 50 mA, t
P
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 50 mA, R
L
= 50
Ω)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 50 mA, t
P
= 20 ms)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Symbol
Symbol
λ
peak
Values
Werte
950
Unit
Einheit
nm
Symbol
Symbol
P
tot
R
thJA
R
thJL
Values
Werte
70
750
650
Unit
Einheit
mW
K/W
K/W
Δλ
55
nm
ϕ
A
LxW
H
t
r
, t
f
± 15
0.25
0.5 x 0.5
1.3 ... 1.9
1000
°
mm
2
mm x
mm
mm
ns
C
0
40
pF
V
F
1.25 (≤ 1.4)
V
I
R
0.01 (≤ 1)
µA
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Version 1.0 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268,
Parameter
Bezeichnung
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
I
rel
= f(λ), T
A
= 25°C
100
%
OHR01938
Symbol
Symbol
Φ
e
Values
Werte
9
Unit
Einheit
mW
TC
I
-0.55
%/K
TC
V
-1.5
mV / K
TC
λ
0.3
nm / K
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
e
/ I
e
(100 mA) = f(I
F
), single pulse, t
p
= 25 µs,
T
A
= 25°C
Ι
e
10
2
OHR01039
Ι
rel
80
Ι
e
(100 mA)
60
10
1
40
10
0
20
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
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Version 1.0 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268,
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
I
F, max
= f(T
A
)
80
mA
Ι
F
70
60
OHR01124
Forward Current
Durchlassstrom
I
F
= f(V
F
), single pulse, t
p
= 100 µs, T
A
= 25°C
10
1
A
OHR01042
Ι
F
10
0
50
40
R
thJL
= 650 K/W
30
R
thJA
= 750 K/W
20
10
0
typ.
max.
10
-1
0
20
40
60
80 C 100
T
A
,
T
L
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
I
F
= f(t
p
), T
C
= 25 °C, duty cycle D = parameter
10
4
OHR02182
Ι
F
mA
D
=0
0,005
0,01
0,02
τ
D
=
τ
T
T
Ι
F
10
3
0,05
0,1
0,2
10
2
0,5
DC
10
1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
τ
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5
京公网安备 11010802033920号
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