Hyper TOPLED
®
White LED
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
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GaN-Technologie
Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931
Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler (120°)
ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7
JEDEC Level 2
weißes SMT-Gehäuse
Für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
Gegurtet in 8 mm-Filmgurt
LW T676
Features
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GaN technology
color: white x = 0.30, y = 0.32 according to CIE1931
viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
ESD withstand voltage of 2 kV
according to MIL STD 883D, Method 3015.7
JEDEC Level 2
white colored SMT package
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available on 8 mm tape reels
Anwendungen
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Innenbeleuchtungen und Hinterleuchtungen im Automobilbereich
Anzeigen im Innen und Außenbereich
LCD-Hinterleuchtungen
Schalter-Hinterleuchtungen
Batterie-Taschenlampen
Notausgangsbeleuchtungen
Leselampen
Sehr gute Alternative zur Glühlampe
Applications
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illumunations and backlighting for interior automotive applications
indoor and outdoor message boards
LCD backlighting
switch backlighting
battery torches
emergency exit illuminations
lamps for reading purposes
very good alternative to incandescent lamps
Semiconductor Group
1
1998-11-05
VPL06724
LW T676
Typ
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Type
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
colored diffused
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
12.5
16.0
20.0
25.0
...
...
...
...
20.0
25.0
32.0
40.0
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
Φ
V
(mlm)
50 (typ.)
60 (typ.)
80 (typ.)
100 (typ.))
Ordering Code
LW T676
LW T676-L2
LW T676-M1
LW T676-M2
LW T676-N1
white
Q62703-Q4450
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
1.6.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
1.6.
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Semiconductor Group
2
1998-11-05
LW T676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Sperrspanung
1)
Reverse voltage
1)
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25 °C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*
)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size
≥
16 mm
2
)
1)
1)
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 40 ... + 100
– 40 ... + 100
+ 100
20
5
90
Einheit
Unit
°C
°C
°C
mA
V
mW
T
op
T
stg
T
j
I
F
V
R
P
tot
R
th JA
500
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
*
)
PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
1998-11-05
LW T676
Kennwerte
(
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Farbkoordinate x nach CIE 1931
1)
Chromaticity coordinate x acc. to CIE 1931
1)
I
F
= 10 mA
Farbkoordinate y nach CIE 1931
1)
Chromaticity coordinate y acc. to CIE 1931
1)
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50%
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50%
I
v
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Temperaturkoeffizient von x (
I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of x (
I
F
= 10 mA)
Temperaturkoeffizient von y (I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of y (I
F
= 10 mA)
Temperaturkoeffizient von
V
F
(I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
V
F
(I
F
= 10 mA)
Symbol
Symbol
typ.
x
0.300
Werte
Values
max.
–
–
Einheit
Unit
y
0.320
–
–
2ϕ
120
3.5
–
4.2
Grad
deg.
V
V
F
I
R
0.01
10
µA
TC
x
TC
y
TC
V
0.07
0.25
– 3.1
–
–
–
10
-3
/K
10
-3
/K
mV/K
1)
Farbortgruppen
Chromaticity coordinate groups
x
min.
0.280
0.285
0.295
0.270
max.
0.325
0.330
0.340
0.315
min.
0.300
0.330
0.345
0.285
y
max.
0.350
0.380
0.395
0.335
Gruppe
Group
1
2
3
4
Semiconductor Group
4
1998-11-05
LW T676
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
=
25 °C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
Ι
rel
%
80
OHL00467
V
λ
60
40
20
0
380
420
460
500
540
580
620
660
700 nm 740
λ
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
Semiconductor Group
5
1998-11-05
Embedded System
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
