GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAlAs Infrared Emitter
SFH 483
ø0.45
Chip position
1
0.9 .1
1.1 .9
0
ø5.5
ø5.2
2.7
1
2.54 mm
spacing
14.5
12.5
3.6
3.0
ø4.3
ø4.1
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
GET06625
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem
Wirkungsgrad
q
Die Anode ist galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Anwendungsklasse nach DIN 40040 GQG
q
Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
SFH 483 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1090
Features
q
Highly efficient GaAlAs LED
q
Anode is electrically connected to the case
q
High pulse power
q
High reliability
q
DIN humidity category in acc. with
DIN 40040 GQG
q
Same package as BPX 63, BP 103, LD 242,
SFH 464
Applications
q
IR remote controls and sound transmission
q
Photointerrupter
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’)
18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’)
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fet06625
SFH 483
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom,
T
C
≤
25
°C
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
10
µs,
D
= 0,
T
C
= 25
°C
Surge current
Verlustleistung,
T
C
= 25
°C
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
100
5
200
2.5
470
450
160
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
1)
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Gehäuserückseite bis
Chipoberfläche
Distance chip front to case back
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
∆λ
80
nm
ϕ
±
23
0.16
0.4
×
0.4
2.7 ... 2.9
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 483
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.6/0.5
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
I
R
1.5
(<
1.8)
3.0
(<
3.8)
0.01
(≤
1)
V
µA
Φ
e
23
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
l
– 2.5
+ 0.25
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 483
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
1)
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
1)
(typ.)
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 ms
1)
Symbol
Werte
Values
1
3.2
20
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr
I
e min
I
e max
I
e typ.
1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird
sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über
Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 483
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
Radiant intensity
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
OHR00878
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
2
Ι
e
Ι
e (100mA)
10
1
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
),
R
thJA
= 450 k/W
I
F
=
f
(T
C
),
R
thJC
= 160 k/W
240
OHR00946
Ι
F
mA
200
160
60
10
0
R
thJC
= 160 K/W
120
40
10
-1
80
20
10
-2
R
thJA
= 450 K/W
40
0
750
10
-3
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80
˚C
100
T
A
,T
C
Forward current,
I
F
=
f
(V
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
1
OHR00881
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(t
p
),
T
C
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
10
4
OHR00948
Ι
F
A
Ι
F
mA
5
t
p
t
p
D=
T
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
Ι
F
T
10
0
10
-1
10
3
0.1
0.2
5
10
-2
0.5
DC
10
-3
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
10
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
t
p
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
1)
Fuβnote siehe vorhergehende Seite/footnote see previous page.
40
30
20
ϕ
10
0
1.0
OHR01457
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1997-11-01
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
