BPY 11 P
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
BPY 11 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1060 nm
q
Kathode = Chipunterseite
q
Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
q
zur Abtastung von Lichtimpulsen
q
quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Typ
Type
BPY 11 P IV
BPY 11 P V
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215-Y111-S4
Q60215-Y111-S5
Features
q
Especially suitable for applications from
420 nm to 1060 nm
q
Cathode = back contact
q
Coated with a humidity-proof protective
layer
q
Binned by spectral sensitivity
Applications
q
For control and drive circuits
q
Light pulse scanning
q
Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
Semiconductor Group
183
10.95
fso06032
BPY 11 P
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
1
Einheit
Unit
°C
V
T
op
;
T
stg
V
R
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 0 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 1 V;
E
= 0
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
Symbol
Symbol
Wert
Value
60 (≥ 47)
850
420 ... 1060
Einheit
Unit
nA/Ix
nm
nm
S
λ
S max
λ
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
7.6
1.95
×
4.45
mm
2
mm
±
60
1 (≤ 10)
0.55
0.80
440 (≥ 260)
60 (≥ 47)
Grad
deg.
µA
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
I
R
S
λ
η
V
O
I
SC
Semiconductor Group
184
BPY 11 P
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 kΩ;
V
R
= 1 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 50
µA
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Kapazität,
V
R
= 1 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Fotoempfindlichkeitsgruppen
Spectral sensitivity groups
Typ
Type
BPY 11 P IV
BPY 11 P V
Symbol
Symbol
Wert
Value
3
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
TC
V
TC
I
C
0
– 2.6
0.12
0.8
mV/K
%/K
nF
I
SC
(
E
v
= 1000 Ix)
47 ... 63
µA
≥
56
µA
Semiconductor Group
185
BPY 11 P
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
v
)
Short-circuit current
I
SC
=
f
(E
v
)
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 1 V,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
186
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
