CLY38
HiRel
C-Band GaAs Power-MESFET
•
•
•
•
•
•
•
HiRel
Discrete and Microwave Semiconductor
For professional power amplifiers
For frequencies from 100 MHz to 4.2 GHz
Hermetically sealed microwave power package
Low thermal resistance for
high voltage application
Power added efficiency > 53 %
Space Qualification Expected 1998
ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/008,
Type Variant No.s 01 to 03
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device, observe handling precautions!
Type
Marking
Ordering Code
Pin Configuration
1
2
S
3
D
Package
CLY38-00 (ql)
CLY38-05 (ql)
CLY38-10 (ql)
-
see below
G
MWP-35
CLY38-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)
(ql) Quality Level:
P: Professional Quality,
H: High Rel Quality,
S: Space Quality,
ES: ESA Space Quality,
Ordering Code:
Ordering Code:
Ordering Code:
Ordering Code:
Q62702L111
on request
on request
Q62702L110
(see order instructions for ordering example)
Semiconductor Group
1 of 10
Draft D, September 99
CLY38
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current
Gate forward current
Compression Level
1)
Operation Range 1
Symbol
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
I
G
P
C
Values
14
16
-6
5.6
32
1.5 at V
DS
≤
9 V
2.5 at V
DS
≤
8 V
3.5 at V
DS
≤
7 V
Unit
V
V
V
A
mA
dB
Compression Level
2)
Operation Range 2
Compression Level
3)
Operation Range 3
Junction temperature
Storage temperature range
Total power dissipation
4)
Soldering temperature
5)
Thermal Resistance
Junction-soldering point
Notes.:
P
C
P
C
T
J
T
stg
P
tot
T
sol
3.5 at V
DS
≤
7 V
tbd.
175
- 65...+ 175
30
230
dB
dB
°C
°C
W
°C
R
th JS
≤
4.5
K/W
1) Operation Range 1: 930 mA
≤
I
D
≤
1860 mA
2) Operation Range 2: I
D
> 1860 mA
3) Operation Range 3: I
D
< 930 mA
4) At T
S
= + 40 °C. For T
S
> + 40 °C derating is required.
5) During 15 sec. maximum. The same terminal shall not be resoldered until 3 minutes have
elapsed.
Semiconductor Group
2 of 10
Draft D, September 99
CLY38
Electrical Characteristics
(at T
A
=25°C; unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
min.
Values
typ.
max.
Unit
DC Characteristics
Drain-source saturation current
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
Gate threshold voltage
V
DS
= 3 V, I
D
= 160 mA
Drain current at pinch-off, low V
DS
V
DS
= 3 V, V
GS
= -3.8 V
Gate current at pinch-off, low V
DS
V
DS
= 3 V, V
GS
= -3.8 V
Drain current at pinch-off, high V
DS
V
DS
= 12 V, V
GS
= -4 V
Gate current at pinch-off, high V
DS
V
DS
= 12 V, V
GS
= -4 V
Transconductance
V
DS
= 3 V, I
D
= 720 mA
Thermal resistance
junction to soldering point
V
DS
= 9 V, I
D
= 720 mA, T
s
= +25°C
R
th JS
-
3.8
-
K/W
g
m
900
1100
-
mS
-I
Gp12
-
-
3200
µA
I
Dp12
-
-
8000
µA
-I
Gp3
-
-
160
µA
I
Dp3
-
-
400
µA
-V
Gth
1.6
2.6
3.6
V
I
Dss
2.4
3.8
5.2
A
Semiconductor Group
3 of 10
Draft D, September 99
CLY38
Electrical Characteristics
(continued)
Parameter
Symbol
min.
Values
typ.
max.
Unit
AC Characteristics
Linear power gain
1)
V
DS
= 9 V, I
D
= 1400 mA, f = 2.3 GHz,
P
in
= 0 dBm
CLY38-00
CLY38-05
CLY38-10
Output power at 1dB gain compr.
1)
G
lp
dB
10.0
10.5
10.5
P
1dB
11.0
11.2
11.2
-
-
-
dBm
V
DS
= 9 V, I
D(RF off)
= 1400 mA, f = 2.3 GHz
CLY38-00
CLY38-05
CLY38-10
Output power
1)
V
DS
= 9 V, I
D(RF off)
= 1400 mA,
f = 2.3 GHz, P
in
= 28 dBm
CLY38-00
CLY38-05
CLY38-10
Power added efficiency
1), 2)
37.5
38
38.5
P
out
37.8
38.3
38.8
-
-
-
dBm
-
-
-
PAE
37.8
38.3
38.8
-
-
-
%
V
DS
= 9 V, I
D(RF off)
= 1400 mA,
f = 2.3 GHz, @ 1dB gain compression
CLY38-00
CLY38-05
CLY38-10
Notes.:
1) RF Power characteristics given for power matching conditions
2) Power added efficiency: PAE = (P
RFout
- P
RFin
) / P
DC
40
45
45
47
50
53
-
-
-
Semiconductor Group
4 of 10
Draft D, September 99
CLY38
Typical Common Source S-Parameters
Z
o
= 50
Ω
|S22| <S22 k-Fact. S
21
/S
12
MAG
[magn] [angle] [magn] [dB]
[dB]
0,966
172
0,37
22,2
0,955
171
0,46
21,8
0,944
169
0,57
21,4
0,932
168
0,68
20,9
0,921
166
0,81
20,3
0,910
164
0,94
19,7
0,902
162
1,06
19,2
17,7
0,897
160
1,19
18,8
16,1
0,894
159
1,28
18,3
15,1
0,893
157
1,38
18,0
14,3
0,893
156
1,44
17,6
13,6
0,894
154
1,49
17,2
13,1
0,895
153
1,51
16,8
12,5
0,897
151
1,54
16,3
12,0
0,898
150
1,56
15,9
11,5
0,899
148
1,58
15,5
11,1
0,899
147
1,58
15,1
10,6
0,900
146
1,62
14,7
10,1
0,900
144
1,65
14,4
9,7
0,900
143
1,69
14,1
9,3
0,900
142
1,71
13,8
8,9
0,901
141
1,77
13,6
8,5
0,902
140
1,79
13,3
8,1
0,903
139
1,83
13,1
7,8
0,904
137
1,82
12,8
7,5
0,906
136
1,87
12,6
7,2
0,907
135
1,87
12,4
7,0
0,909
134
1,86
12,1
6,8
0,911
133
1,87
11,9
6,5
0,913
132
1,90
11,7
6,2
0,914
131
1,89
11,5
6,0
0,916
130
1,89
11,3
5,8
0,918
129
1,88
11,0
5,6
0,919
128
1,90
10,8
5,4
0,920
127
1,89
10,5
5,1
0,920
126
1,89
10,3
4,8
0,920
125
1,95
10,1
4,5
0,919
124
1,99
9,9
4,2
0,920
123
2,00
9,7
4,0
0,920
122
2,05
9,6
3,7
0,919
121
2,10
9,4
3,4
0,918
120
2,13
9,2
3,2
0,918
119
2,17
9,1
3,0
0,918
119
2,18
9,0
2,9
0,918
118
2,21
8,9
2,7
0,918
118
2,18
8,8
2,7
f
|S11| <S11
[GHz] [magn] [angle]
0,5
0,927 -175
0,6
0,924 -178
0,7
0,922
180
0,8
0,921
177
0,9
0,921
173
1,0
0,924
170
1,1
0,926
167
1,2
0,927
164
1,3
0,929
161
1,4
0,930
158
1,5
0,931
156
1,6
0,932
153
1,7
0,933
151
1,8
0,934
149
1,9
0,934
147
2,0
0,935
145
2,1
0,935
143
2,2
0,936
141
2,3
0,936
139
2,4
0,936
137
2,5
0,937
136
2,6
0,936
134
2,7
0,937
132
2,8
0,937
131
2,9
0,937
129
3,0
0,937
127
3,1
0,937
126
3,2
0,937
124
3,3
0,937
123
3,4
0,936
121
3,5
0,936
120
3,6
0,937
119
3,7
0,936
117
3,8
0,936
116
3,9
0,935
114
4,0
0,935
113
4,1
0,933
112
4,2
0,933
111
4,3
0,933
109
4,4
0,932
108
4,5
0,931
107
4,6
0,931
106
4,7
0,930
105
4,8
0,931
104
4,9
0,931
103
5,0
0,931
103
V
DS
= 3 V, I
D
= 1400 mA,
|S21| <S21 |S12| <S12
[magn] [angle] [magn] [angle]
2,300
84 0,0138
16
2,137
82 0,0140
16
1,960
80 0,0142
17
1,774
77 0,0144
16
1,582
74 0,0146
16
1,387
70 0,0148
16
1,235
66 0,0149
16
1,112
62 0,0148
16
1,010
59 0,0148
16
0,927
56 0,0148
16
0,856
53 0,0150
16
0,794
50 0,0152
15
0,740
47 0,0156
15
0,693
44 0,0161
15
0,651
42 0,0167
15
0,613
39 0,0171
15
0,579
36 0,0180
14
0,548
34 0,0184
15
0,519
31 0,0189
14
0,494
29 0,0192
14
0,471
26 0,0197
13
0,449
24 0,0197
14
0,429
22 0,0201
13
0,411
19 0,0202
12
0,394
17 0,0209
12
0,379
15 0,0207
11
0,364
13 0,0211
11
0,350
11 0,0214
9
0,338
9
0,0218
9
0,325
7
0,0220
9
0,314
5
0,0225
8
0,304
3
0,0227
7
0,294
1
0,0232
7
0,285
-1
0,0236
6
0,276
-3
0,0245
6
0,268
-4
0,0251
5
0,260
-6
0,0255
5
0,253
-8
0,0260
4
0,246
-9
0,0264
3
0,240
-11 0,0266
2
0,234
-12 0,0269
2
0,229
-14 0,0272
1
0,224
-15 0,0274
0
0,220
-16 0,0275
0
0,217
-17 0,0276
-1
0,214
-18 0,0279
-1
Semiconductor Group
5 of 10
Draft D, September 99
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
