2014-01-14
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.1
BPX 43
•
Spectral range of sensitivity:
(typ) 450 ... 1100
nm
•
Package:
Metal Can (TO-18), hermetically sealed
•
•
•
•
Special:
Base connection
Suitable up to 125°C
High linearity
Available in groups
Features:
•
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
(typ) 450 ... 1100 nm
•
Gehäuse:
Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch
dicht
•
Besonderheit:
Basisanschluss
• Geeignet bis zu 125°C
• Hohe Linearität
• Gruppiert lieferbar
Besondere Merkmale:
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Anwendungen
• Lichtschranken
• Industrieelektronik
• Messen / Steuern / Regeln
2014-01-14
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Version 1.1
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ
= 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
[µA]
BPX 43
BPX 43-3/4
BPX 43-4
BPX 43-4/5
BPX 43-5
Note:
Anm.:
BPX 43
Ordering Code
Bestellnummer
≥
800
1250 ... 4000
2000 ... 4000
≥
2000
≥
3200
Q62702P0016
Q62702P3581
Q62702P0016S004
Q62702P3582
Q62702P0016S005
Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector current
Kollektorstrom
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
Emitter-base voltage
Emitter-Basis-Spannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance
Wärmewiderstand
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
CE
I
C
I
CS
Values
Werte
-40 ... 125
50
50
200
Unit
Einheit
°C
V
mA
mA
V
EB
P
tot
R
thJA
7
220
450
V
mW
K/W
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Version 1.1
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
Half angle
Halbwinkel
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(λ = 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CB
= 5 V)
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(E
V
= 1000 lx, Std. Light A, V
CB
= 5 V)
Capacitance
Kapazität
(V
CE
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V
CB
= 0 V,
f
= 1MHz,
E
= 0)
Capacitance
Kapazität
(V
EB
= 0 V,
f
= 1MHz,
E
= 0)
Dark current
Dunkelstrom
(V
CE
= 20 V)
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
10%
A
LxW
ϕ
I
PCB
Values
Werte
880
450 ... 1100
0.675
1.02 x 1.02
± 15
11
BPX 43
Unit
Einheit
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
μA
I
PCB
35
μA
C
CE
23
pF
C
CB
39
pF
C
EB
47
pF
I
CE0
20 (≤ 100)
nA
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Version 1.1
Grouping
(T
A
= 25 °C,
λ
= 950 nm)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Photocurrent Max
Photocurrent
Min Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, min
[µA]
BPX 43-2
BPX 43-3
BPX 43-4
BPX 43-5
Group
Gruppe
800
1250
2000
3200
Max Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, max
[µA]
1600
2500
4000
BPX 43
Typ Photocurrent Rise and fall time
Typ Fotostrom
Anstiegs- und
Abfallzeit
E
V
= 1000 lx, Std. I
C
= 1 mA,
Light A, V
CE
= 5 V V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
I
PCE
[µA]
3800
6000
9500
15000
t
r
, t
f
[µs]
9
12
15
18
Current gain
Stromverstärkung
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
/ I
PCB
110
170
270
430
Collector-emitter saturation
voltage
Kollektor-Emitter
Sättigungsspannung
I
C
= I
PCEmin
x 0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
[mV]
BPX 43-2
BPX 43-3
BPX 43-4
BPX 43-5
200
220
240
260
Note.: I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.:
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
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Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
Photocurrent
Fotostrom
I
PCE
= f(E
e
),
V
CE
= 5 V
BPX 43
Collector Current
Kollektorstrom
I
C
= f(V
CE
), I
B
= Parameter
Collector Current
Kollektorstrom
I
C
= f(V
CE
), I
B
= Parameter
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5
京公网安备 11010802033920号
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