TRIAC（ISOLATED TYPE）
TG35F
UL;E76102 M）
（
TG35F
are isolated molded triacs
suitable for wide range of applications like
copier, microwave oven, solid state switch,
motor control, light control and heater
control.
●
I
T AV）
（
●
High
7TG-F
39.2 MAX
20.2 MAX
2-
φ4.2±0.1
23.0 MAX
（T
1
）
（G）
7.95±0.15
9.75±0.3
6.35±0.15
T1
G
3.0±0.3
T
1
TAB250
：
（T=6.35, T'=8.25, t=0.8）
：
（T=6.35, T'=8.25, t=0.8）
T
2
TAB250
G TAB187
：
（T=4.75, T'=5.7, t=0.8）
T2
2.6
8.2
5-
φ1.3±0.2
22.5 MAX
35A
surge capability 340A
●
Isolated Nounting
（AC2500V）
●
Tab Terminals
20.1 MAX
21.6 MAX
30.0±0.1
13.9
T'
+ 0.2
φ2.0
1
.T
2
）
（T
- 0.0
T
φ1.3
（G）
10.8
（T
2
）
Unit：
A
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DRM
Symbol
I
T RMS）
（
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
I
GM
V
GM
di
/
dt
Tj
Tstg
V
ISO
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
Item
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Critical Rate of Rise of On-State Current
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Mounting Torque M4）
（
Mass
Ratings
TG35F40
400
Conditions
Tc＝67℃
One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive
Value for one cycle of surge current
（Tj=25℃
unless otherwise specified）
TG35F60
600
Ratings
35
310/340
485
10
1
3
10
50
−25
to
＋125
−40
to
＋125
2500
Unit
V
Unit
A
A
A
2
S
W
W
A
V
A
/
μs
℃
℃
V
N½m
1.5 15）
（
（kgf½B）
23
g
Unit
mA
V
μs
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/
dt＝1A
/
V
／
dI
A.C.1 minute
Recommended Value 1.0-1.4 10-14）
（
Typical value（Excluding bolt, nut and wrapping material）
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
−
I
GT1
＋
I
GT3
−
I
GT3
＋
V
GT1
Item
Reptitive Peak Off-State Current, max
Peak On-State Voltage, max
1
2
3
4
1
2
3
4
Non-Trigger Gate Voltage, min
Turn On Time, max.
Critical Rate of Rise on-State
Voltage,min.
Critical Rate of Rise off-State
Voltage at commutation, min
Conditions
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
On-State Current〔√
T RMS）
，
2×I
（
〕
Inst. measurement
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
（
I
T RMS） G
＝100mA，V
D
＝
1 2
V
DRM
，Tj＝25℃，dI
G
/
dt＝1A
/
，I
／
μs
Ratings
3
1.38
50
50
−
50
2.5
2.5
−
2.5
0.2
10
100
10
30
1.5
Gate Trigger Current, max
mA
V
V
−
GT1
＋
GT3
Gate Trigger Voltage, max
V
−
V
GT3
V
GD
tgt
dv
/
dt
〔dv
/
dt〕
c
I
H
V
V
V
/
μs
V
/
μs
mA
℃
/
W
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
，Exoponential
wave.
／
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
，
/
dt〕c＝15A
/
ms
／
〔di
Tj＝25℃
Junction to case
Holding Current, typ.
Rth j-c） Thermal Impedance, max
（
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com
Transient Thermal Impedance
θ
（℃/W）
j-c
;
２
TG35F
Gate Characteristics
１
３
０
On-State Voltage
１
１
０
Peak Gate Voltage
（10V）
５
２
Gate Voltage
（V）
２
−25℃
Av
er
ag
e
Peak Gate Current
（3A）
５
Pe
Po ak G
we at
（ e
r1
0W
Gate
）
Distribution
Po
we
（
r
On-State Current
（A）
１
２
０
１
０
０
25℃
Ga
te
125℃
５
２
５
２
1W
）
Maximum Gate Voltage that will not trigger any unit
１
１
０
１
−１ １
０
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
２
５
５
０
１
２
３
４
５
６
７
８
Gate Current
（mA）
On-State Voltage
（V）
Power Dissipation
（W）
４
０
2
360
。
θ
＝180゜
θ
＝150゜
θ
＝120゜
θ
＝90゜
θ
＝60゜
θ
＝30゜
: Conduction Angle
３
０
Allowable Case Temperature
（℃）
５
０
On State Current vs.
Maximum Power Dissipation
１０
３
１０
２
１０
１
１０
０
９
０
８
０
７
０
６
０
On State Current vs.
Allowable Case Temperature
２
０
2
360
。
１
０
: Conduction Angle
θ
＝30゜
θ
＝60゜
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
０
０
５
１
０
１
５
２
０
２
５
３
０
３
５
４
０
５
０
０
５
１
０
１
５
２
０
２
５
３
０
３
５
４
０
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
３
５
３
０
２
５
２
０
１
５
１
０
５
Ambient temp. vs. RMS On-State Current
Conduction Angle 180℃
Apply following figures for
different conduction angles
θ 150゜
： ：
1.02
θ 120゜
： ：
1.11
θ 90゜
： ：
1.26
θ 60゜
： ：
1.38
θ 30゜
： ：
1.75
３０
５
３０
０
２０
５
２０
０
１０
５
１０
０
５
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Tj＝25℃ start
F-40 Rth 2 95
Self convection
F-60 Rth 1.53
：
Self convection
F-40 3m/s
Rth 1.28
：
Surge On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
60Hz
50Hz
F-60 3m/s
Rth 0.65
：
０
０
(Rth heat Sink Thermal Impedance)
：
２
０
４
０
６
０
８
０
１０
０
１０
２
１０
４
０
０
１
０
２
５
１
１
０
２
５
１
２
０
Maximum Allowable Ambient Temperature
（℃）
Time
（cycles）
７
６
５
４
３
２
１
Transient Thermal Impedance
７
６
Self convection
F-40
Self convection
F-60
F-40 3m/s
F-60 3m/s
Junction to case
５
４
３
２
１
０
ー３
１
０
１
ー２
０
１
ー１
０
１
０
０
Time
t
sec）
（
１
１
０
１
２
０
１
３
０
０
１
４
０
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
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