ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W),
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes
Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-04-02
ZMY...G planar
ZMY... non-planar
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
3.0...9.1 V
DO-213AB
10...200 V
DO-213AB
0.12 g
Glass case – Glasgehäuse MELF
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung
2.5
2.5
0.4
0.5
Type
Typ
Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Typ
5.0
5.0
Dimensions
0.4
- Maße [mm]
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Power dissipation – Verlustleistung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
Power dissipation – Verlustleistung
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
23
0.5
Grenz- und Kennwerte
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
T
A
= 25°C
P
tot
1.0 W
1
)
-50...+175°C
-50...+175°C
< 150 K/W
1
)
< 70 K/W
T
J
T
S
R
thA
R
thT
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
P
tot
P
ZSM
1.3 W
1
)
40 W
-50...+150°C
-50...+175°C
< 45 K/W
1
)
< 10 K/W
T
J
T
S
R
thA
R
thT
1
2
3
Mounted on P.C. board with 50 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Bei allen Kenn- und Grenzwerten ist der Index “F” statt “Z” zu setzen
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
120
[%]
100
ZMY10...200
150
[mA]
100
I
Z
= 100 mA
5,1
4,7
4,3
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
80
60
ZMY3.0G...9.1G
3,9
50
3,6
3,3
3,0
I
Z
= 50 mA
40
I
Z
0
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
0
V
Z
4
5
7
2
3
6
8
[V]
Typical breakdown characteristic
– tested with pulses
Typische Abbruchspannung
– gemessen mit Impulsen
10
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
1
)
10
2
[A]
10
T
j
= 125°C
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
T
j
= 25°C
1
I
Zmax
10
-1
I
F
10
-2
0.4
30a-(1a-1.1v)
T
j
= 25°C
I
ZT
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Typical breakdown characteristic
– tested with pulses
Typische Abbruchspannung
– gemessen mit Impulsen
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[pF]
ZMY3.0G...9.1G
T
j
= 25°C
f = 1.0 MHz
V
R
= 0V
ZMY10...200
C
j
V
Z
[V]
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3
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