FDMC8010ET30 datasheet, PDF - EEWORLD Datasheet

FDMC8010ET30: Description表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33; CategoryDiscrete semiconductor The transistor; File Size572KB，8 Pages; ManufacturerON Semiconductor; Websitehttp://www.onsemi.cn; Environmental Compliance

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表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），65W（Tc） Power33

Parameter Name	Attribute value
category
Maker	ON Semiconductor
series	PowerTrench®
Package	卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
FET type	N channel
technology	MOSFET (metal oxide)
Drain-source voltage (Vdss)	30 V
Current at 25°C - Continuous Drain (Id)	30A（Ta），174A（Tc）
Drive voltage (maximum Rds On, minimum Rds On)	4.5V，10V
On-resistance (maximum value) at different Id and Vgs	1.3 毫欧 @ 30A，10V
Vgs(th) (maximum value) when different Id	2.5V @ 1mA
Gate charge (Qg) (maximum value) at different Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (maximum value)	±20V
Input capacitance (Ciss) (maximum value) at different Vds	5860 pF @ 15 V
FET function	-
Power dissipation (maximum)	2.8W（Ta），65W（Tc）
Operating temperature	-55°C ~ 175°C（TJ）
Installation type	surface mount type
Supplier device packaging	Power33
Package/casing	8-PowerWDFN
Basic product number	FDMC8010

Shortcut: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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