BSZ0910LSATMA1 datasheet, PDF - EEWORLD Datasheet

BSZ0910LSATMA1: Description表面贴装型 N 通道 30 V 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TDSON-8 FL; CategoryDiscrete semiconductor The transistor; ManufacturerInfineon; Websitehttp://www.infineon.com/

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表面贴装型 N 通道 30 V 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TDSON-8 FL

Parameter Name	Attribute value
category
Maker	Infineon
series	OptiMOS™ 5
Package	卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
FET type	N channel
technology	MOSFET (metal oxide)
Drain-source voltage (Vdss)	30 V
Current at 25°C - Continuous Drain (Id)	18A（Ta），40A（Tc）
Drive voltage (maximum Rds On, minimum Rds On)	4.5V，10V
On-resistance (maximum value) at different Id and Vgs	4.5 milliohms @ 30A, 10V
Vgs(th) (maximum value) when different Id	2V @ 250µA
Gate charge (Qg) (maximum value) at different Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (maximum value)	±20V
Input capacitance (Ciss) (maximum value) at different Vds	1100 pF @ 15 V
FET function	-
Power dissipation (maximum)	2.1W（Ta），37W（Tc）
Operating temperature	-55°C ~ 150°C（TJ）
Installation type	surface mount type
Supplier device packaging	PG-TDSON-8 FL
Package/casing	8-PowerTDFN
Basic product number	BSZ0910

Shortcut: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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