GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
SFH 409
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
Anwendungen
• IR-Fernsteuerungen von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
• Lichtschranken bis 500 kHz
• Münzzähler
• Sensorik
• Diskrete Optokoppler
Features
•
•
•
•
•
Very highly efficient GaAs-LED
High reliability
High pulse handling capability
Good spectral match to silicon photodetectors
Same package as SFH 309, SFH 487
Applications
• IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorders, dimmers
• Light-reflection switches (max. 500 kHz)
• Coin counters
• Sensor technology
• Discrete optocouplers
Typ
Type
SFH 409
SFH 409-2
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P860
Q62702-P1002
Gehäuse
Package
3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, Anschlüsse
im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’),
cathode marking: short lead
2003-11-11
1
SFH 409
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ ≤
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Kapazität,
V
R
= 0 V
Capacitance
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
3
165
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
∆λ
55
nm
ϕ
±
20
0.09
0.3
×
0.3
2.6
25
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
pF
A
L
×
B
L
×
W
H
C
o
2003-11-11
2
SFH 409
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current,
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.5
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
V
F
V
F
I
R
Φ
e
1.30 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5)
0.01 (≤ 1)
15
V
V
µA
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.3
mV/K
nm/K
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
1)
1)
Symbol
SFH 409
Werte
Values
SFH 409-1
1)
SFH 409-2
SFH 409-3
1)
Einheit
Unit
I
e
I
e typ.
≥
6.3
–
6.3
…
12.5
75
> 10
120
16
…
32
–
mW/sr
mW/sr
Nicht bestellbar als Einzelgruppe.
Can not be ordered as single group.
2003-11-11
3
SFH 409
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHR01938
Radiant Intensity
Ι
e
100 mA
Ι
e
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
10
1
OHR00864
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
120
OHR00883
Ι
F
mA
100
Ι
rel
80
80
60
R
thjA
= 450 K/W
60
10
0
40
40
20
20
10
-1
10
-2
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
), Single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
A
OHR01041
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(τ),
T
A
= 25
°C
duty cycle
D
= parameter
10
4
OHR00865
Ι
F
Ι
F
mA
5
D
= 0.005
typ.
max.
D
=
τ
T
τ
Ι
F
T
10
0
0.01
0.02
10
3
0.05
0.1
0.2
10
-1
5
0.5
DC
10
2
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
τ
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
Radiation Characteristics
Ι
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
0
1.0
OHR01887
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2003-11-11
4
SFH 409
Maßzeichnung
Package Outlines
Area not flat
0.6
0.4
5.2
4.5
4.1
3.9
2.54 mm
spacing
4.0
3.6
0.7
0.4
0.8
0.4
1.8
1.2
(3.5)
29
27
6.3
5.9
ø3.1
ø2.9
0.6
0.4
Chip position
Cathode (SFH 409, SFH 4332)
Anode (SFH 487, SFH 4301)
GEX06250
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
2003-11-11
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
