IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4230
Wesentliche Merkmale
• Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei
geringer Baugröße
• Chipgröße (emittierende Fläche) 1 x 1 mm
2
• max. Gleichstrom 1 A
• niedriger Wärmewiderstand (15 K/W)
• Emissionswellenlänge 850 nm
• ESD-sicher bis 2 kV nach JESD22-A114-B
Anwendungen
•
•
•
•
•
Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras
Überwachungssysteme
IR-Datenübertragung
Fahrer-Assistenz Systeme
Maschinensicherheit
Features
• Point lightsource with high efficiency and small
package
• die-size (emitting area) 1 x 1 mm
2
• max. DC-current 1 A
• Low thermal resistance (15 K/W)
• Maximum of spectral emission at 850 nm
• ESD save up to 2 kV acc. to JESD22-A114-B
Applications
•
•
•
•
•
Infrared Illumination for CMOS cameras
Surveillance systems
IR Data Transmission
Driver assistance systems
Machine security
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Typ
Type
SFH 4230
1)
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A4023
Gesamtstrahlungsfluss
1)
(
I
F
= 1A,
t
p
= 100 µs)
Total Radiant Flux
1)
Φ
e
(mW)
typ. 440
gemessen mit Ulbrichtkugel / measured with integrating sphere
2007-03-29
1
SFH 4230
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
< 1 ms,
D
= 0.2
Surge current
Leistungsaufnahme
Power consumption
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Centroid-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
2007-03-29
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
+ 125
1
1
2
2.4
15
Einheit
Unit
°C
°C
V
A
A
W
K/W
T
op
, T
stg
T
J
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJS
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
λ
centroid
845
nm
∆λ
40
nm
ϕ
±
60
1
1
×
1
Grad
deg.
mm
2
mm²
A
L
×
B
L
×
W
2
SFH 4230
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%,
I
F
= 1 A,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 1 A,
R
L
= 50
Ω
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 µs
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Temperaturkoeffizient von
λ
Temperature coefficient of
λ
I
F
= 1 A,
t
p
= 10 ms
Symbol
Symbol
Wert
Value
10
Einheit
Unit
ns
t
r
,
t
f
V
F
1.8 (< 2.4)
V
I
e typ
170
mW/sr
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
– 0.2
mV/K
TC
λ,centroid
+ 0.2
nm/K
2007-03-29
3
SFH 4230
Relative spektrale Emission
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHL01714
Durchlassstrom
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
)
Single pulse,
t
p
= 100
µs
I
F
10
1
A
OHF02843
Relativer Gesamtstrahlungsfluss
Relative Total Radiant Flux
Φ
e
/Φ
e
(1000mA) =
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 100
µs
Φ
e
Φ
e (1000 mA)
10
1
OHL02830
I
rel
80
10
0
10
0
5
60
10
-1
40
10
-1
5
10
-2
20
5
0
700
750
800
850
nm 950
10
-2
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3
10
-3 1
10
5 10
2
5 10
3
mA 10
4
λ
V
F
I
F
Max. zulässiger Durchlassstrom
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
),
R
thJS
= 15 K/W
1200
mA
OHF02801
Zulässige Impulsbelastbarkeit
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(t
p
),
T
A
< 85
°C,
Duty cycle
D
= parameter
2.5
I
F
A
2.0
OHF02803
I
F
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
800
1.5
600
1.0
400
0.5
D
=
T
200
t
P
t
P
I
F
T
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
T
S
t
p
2007-03-29
5
京公网安备 11010802033920号
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