GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse
GaAs Infrared Emitter in SMT Package
SFH 420
SFH 425
SFH 420
SFH 425
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Gute Linearität (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
• Gleichstrom- (mit Modulation) oder
Impulsbetrieb möglich
• Hohe Zuverlässigkeit
• Hohe Impulsbelastbarkeit
• Oberflächenmontage geeignet
• Gegurtet lieferbar
• SFH 420 Gehäusegleich mit SFH 320
SFH 425 Gehäusegleich mit SFH 325
• SFH 425: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet.
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Automobiltechnik
• Sensorik
• Alarm- und Sicherungssysteme
• IR-Freiraumübertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
• Very highly efficient GaAs-LED
• Good Linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
• DC (with modulation) or pulsed operations are
possible
• High reliability
• High pulse handling capability
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
• SFH 420 same package as SFH 320
SFH 425 same package as SFH 325
• SFH 425: Suitable only for IR-reflow soldering.
Applications
•
•
•
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
Gehäuse
Package
Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke
cathode marking: bevelled edge
TOPLED
®
SIDELED
SFH 420
SFH 425
Q62702-P1690
Q62702-P0330
2001-02-22
1
SFH 420, SFH 425
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ =
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
3
160
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimensions of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
200
K/W
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
60
0.09
0.3
×
0.3
Grad
deg.
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
2001-02-22
2
SFH 420, SFH 425
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten,
Ι
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.5
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.3 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5)
0.01 (≤ 1)
V
V
µA
Φ
e
14
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.3
mV/K
nm/K
2001-02-22
3
SFH 420, SFH 425
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Radiation Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
Symbol
I
e
Werte
Values
>
2.5
Einheit
Unit
mW/sr
I
e typ.
38
mW/sr
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
2001-02-22
4
SFH 420, SFH 425
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHR01938
Radiant Intensity
Ι
e
100 mA
Ι
e
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 20
µs
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
10
1
OHR00864
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(
t
p
), duty cycle
D
= parameter,
T
A
= 20
°C
10
4
OHR00865
Ι
rel
I
F
mA
5
τ
D
=
D
= 0.005
0.01
τ
80
T
T
I
F
60
0.02
10
3
0.05
0.1
0.2
0
40
10
5
20
0.5
DC
10
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
τ
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µs
10
1
OHR01554
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
)
120
OHR00883
Ι
F
A
I
F
mA
100
10
0
80
R
thjA
= 450 K/W
10
-1
60
40
10
-2
20
10
-3
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
2001-02-22
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
