MOSFET MODULE
FCA50CC50
FCA50CC50
is a dual power MOSFET module designed for fast swiching applications
of high voltage and current.（2 devices are serial connected with a fast recovery diode
（trr
≦100ns
）reverse
connected across each MOSFET.） The mounting base of the
module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink
construction.
●
I
D
＝50A,
UL;E76102 M）
（
107.5±0.6
93±0.3
3½M5
78
V
DSS
＝500V
●
Suitable for high speed switching applications.
●
Low ON resistance.
●
Wide Safe Operating Areas.
●
t
rr
≦100ns
fast recovery diode for free wheel.
（Applications）
UPS
（CVCF）
Motor Control, Switching Power Supply, etc.
,
D2 S1
q
S2
w
i
G2
u
S2
4
2 φ6.5
・
1
2
3
56
23
23
TAB=110
（T0.5）
30max
NAME PLATE
e
D1
y
S1
t
G1
Unit：
A
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
-I
D
P
T
Tj
Tstg
V
ISO
Item
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain
Current
Source Current
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage（R.M.S.）
Mounting
Torque
Mass
Mounting
（M6）
Terminal（M5）
A.C. 1minute
Recommended Value 2.5-3.9（25-40）
Recommended Value 1.5-2.5（15-25）
Typical Value
Tc＝25℃
DC
Pulse
Duty 55%
Conditions
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）
Ratings
FCA50CC50
500
±20
50
100
50
330
−40 to ＋150
−40 to ＋125
2500
4.7（48）
2.7（28）
240
Unit
V
V
A
A
W
℃
℃
V
N½m
（kgf½B）
g
■Electrical
Charactistics
Symbol
I
GSS
I
DSS
（BR）
V
DSS
（th）
V
GS
（on）
R
DS
（on）
V
DS
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）
Conditions
V
GS
＝±20V，V
DS
＝0V
V
GS
＝0V，V
DS
＝500V
V
GS
＝0V，I
D
＝1mA
V
DS
＝V
GS
，I
D
＝10mA
I
D
＝25A，V
GS
＝15V
I
D
＝25A，V
GS
＝15V
V
DS
＝10V，I
D
＝25A
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
60
V
DD
＝300V，V
GS
＝15V
I
D
＝25A，R
G
＝5Ω
I
S
＝25A，V
GS
＝0V
I
S
＝25A，V
GS
＝−5V，di/dt＝100A/
μs
MOSFET
Diode
80
100
520
140
2.0
100
0.38
1.67
V
ns
℃/W
ns
30
10000
1900
750
500
1.0
5.0
140
3.5
Ratings
Min.
Typ.
Max.
±1.0
1.0
Unit
μA
mA
V
V
mΩ
V
S
pF
pF
pF
Item
Gate Leakage Current
Zero Gate Voltage Drain Current
Darin-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Threshold Voltage
Drain-Source On-State Resistance
Drain-Source On-State Voltage
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Switching
Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
gfs
Ciss
Coss
Crss
td on）
（
tr
td off）
（
tf
V
SDS
trr
Rth j-c） Thermal Resistance
（
1
31max
4
35±0.6
17
FCA50CC50
Output Characteristics Typical）
（
１０
０
Tj＝25
℃
Pulse Test
Forward Transfer Characteristics Typical）
（
５
０
V
DS
10
V
Pulse Test
１V
５
Drain Current I
D
A）
（
６
０
４
０
１V
０
８
V
６
V
５
V
Drain Current I
D
A）
（
８
０
４
０
３
０
Tj
25
℃
２
０
１
０
０
０
４
V
G
s＝ V
２
０
０
０
２
４
６
８
１
０
３
４
５
６
Drain-Source Voltage V
DＳ
（V）
Drain-Source On-State Resistance Ｒ
Ｓ
½ ）
Ｄ
（ ½（Ω）
Gate-Source Voltage V
ＧＳ
（V）
Forward Transconductance ½½
½
（S）
５
０
Forward Transconductance Vs.
Drain Current
Tj
Drain-Source On-State Resistance Vs.
Drain Current
０３
．
Pulse Test
Typical
25
℃
２
０
Typical
０２
．
１
０
V
DS
25V
Pulse Test
Tj
100
℃
Tj
25
℃
５
０１
．
Tj
25
℃
２
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
０
0
25
5
０
75
100
125
１０
5
Drain CurrentＩ
Ｄ
（A）
Ｄ
（A）
Drain CurrentＩ
１００
００
Input Capacitance, Output Capacitance,
Reverse Transfer Capacitance
（Typical）
Ciss
Safe Operating Area
２
１
２
０
Pw
Capacitance Ｃ
Ｐ
）
（Ｆ
Drain Current I
D
A）
（
５
２
５
２
５
D.C
.
V
G
s
0V
f
1MHz
Tj
25
℃
１０
００
Coss
Crss
１
１
０
Pw
10
μs
100
μs
Pw
1m
s
Pw
10m
s
１
０
０
Tc
25
℃
Non-Repetitive
１０
０
０
４
０
８
０
１０
２
１０
６
２０
０
２０
４
２
Drain-Source Voltage V
ＤＳ
（V）
５
１
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
Drain-Source Voltage V
ＤＳ
（V）
2
FCA50CC50
Forward Voltage of Free Wheeling Diode
Reverse Recovery CurrentＩ （A）
½
½
１０
０
４
０
Reverse Recovery Characteristics
Typical
dis/dt
100A/μs
V
GS
ー5
V
８
０
６
０
４
０
Typical
V
G
s
0V
Pulse Test
２
０
trr
２０
０
Tj
25
℃
lrr
１
０
trr
１０
０
Tj
125
℃
５
lrr
５
０
25
℃
150
℃
２
０
０
０
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
２
５
１
０
２
０
５
０
２
０
１０
０
Drain-Source Voltage V
ＳＤＳ
（V）
（A）
Source Current -
Ｓ
Ｉ
Thermal Impedance
θ
- （℃/Ｗ）
½½
Max.
Thermal Impedance
θ
- （℃/Ｗ）
½½
１
０
５
２
Transient Thermal Impedance
（ＭＯ Ｆ Ｔ）
ＳＥ
５
２
１
０
０
５
50msec-10sec
Transient Thermal Impedance Ｉ Ｄ ）
（Ｄ Ｏ Ｅ
Max.
50msec-10sec
１
-１
０
50
μ
sec-10sec
５
1msec-50msec
２
１
-１
０
５
１
½
５ ½１ ０ ０ ½ ５ ０ １
０ ０ ½２ ０
０½
２
½
２
５ １½２½ ５½
½ ０
０
０
５ １
０
２
２
½
２
５ １½２½ ５½
½ ０
０
０
５ １
０
１
-２
０
５ μ１ ０ ０ μ ５ ０ １
０ ０ μ２ ０
０μ ½
５ ½１ ０ ０ ½ ５ ０ １
０ ０ ½２ ０
０½
Time½
（sec）
Time（sec）
½
3
Reverse Recovery Time t ½
½
（ns）
４０
０
Source Current -I
Ｓ
（A）
MOSFET MODULE
FCA75CC50
FCA75CC50
is a dual power MOSFET module designed for fast swiching applications
of high voltage and current.
（2
devices are serial connected with a fast recovery diode
（trr
≦100ns
）reverse
connected across each MOSFET.） The mounting base of the
module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink
construction.
V
DSS
＝500V
●
Suitable for high speed switching applications.
●
Low ON resistance.
●
Wide Safe Operating Areas.
●
t
rr
≦100ns
fast recovery diode for free wheel.
（Applications）
UPS
（CVCF）
Motor Control, Switching Power Supply, etc.
,
D2 S1
q
S2
w
i
G2
u
S2
UL;E76102 M）
（
107.5±0.6
93±0.3
3½M5
78
1
2
3
56
23
23
TAB=110
（T0.5）
30max
NAME PLATE
e
D1
y
S1
t
G1
Unit：
A
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
-I
D
P
T
Tj
Tstg
V
ISO
Item
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain
Current
Source Current
Total Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage（R.M.S.）
Mounting
Torque
Mass
Mounting
（M6）
Terminal（M5）
A.C. 1minute
Recommended Value 2.5-3.9（25-40）
Recommended Value 1.5-2.5（15-25）
Typical Value
Tc＝25℃
DC
Pulse
Duty 35%
Conditions
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）
Ratings
FCA75CC50
500
±20
75
150
75
430
−40 to ＋150
−40 to ＋125
2500
4.7（48）
2.7（28）
240
Unit
V
V
A
A
W
℃
℃
V
N½m
（kgf½B）
g
（Tj＝25℃）
Conditions
V
GS
＝±20V，V
DS
＝0V
V
GS
＝0V，V
DS
＝500V
V
GS
＝0V，I
D
＝1mA
V
DS
＝V
GS
，I
D
＝10mA
I
D
＝40A，V
GS
＝15V
I
D
＝40A，V
GS
＝15V
V
DS
＝10V，I
D
＝40A
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
V
GS
＝0V，V
DS
＝25V，f＝1.0MHz
70
V
DD
＝300V，V
GS
＝15V
I
D
＝40A，R
G
＝5Ω
−I
S
＝40A，V
GS
＝0V
−I
S
＝40A，V
GS
＝−5V，di/dt＝100A/
μs
MOSFET
Diode
80
140
700
210
2.5
100
0.29
1.67
V
ns
℃/W
4
ns
40
13500
2500
1000
500
1.0
5.0
110
4.4
Ratings
Min.
Typ.
Max.
±1.0
1.0
Unit
μA
mA
V
V
mΩ
V
S
pF
pF
pF
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
GSS
I
DSS
（BR）
V
DSS
（th）
V
GS
（on）
R
DS
（on）
V
DS
Item
Gate Leakage Current
Zero Gate Voltage Drain Current
Darin-Source Breakdown Voltage
Gate-Source Threshold Voltage
Drain-Source On-State Resistance
Drain-Source On-State Voltage
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Switching
Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
gfs
Ciss
Coss
Crss
td on）
（
tr
td off）
（
tf
V
SDS
trr
Rth j-c） Thermal Resistance
（
31max
4
35±0.6
●
I
D
＝75A,
17
4
2 φ6.5
・
FCA75CC50
Output Characteristics Typical）
（
１０
０
Tj＝25
℃
Pulse Test
１V
５
６
０
Forward Transfer Characteristics Typical）
（
V
DS
10V
Pulse Test
Drain Current I
D
A）
（
Drain Current I
D
A）
（
８
０
１V
０
８
V
６
V
５
V
５
０
４
０
Tj
６
０
４
０
４
V
G
s＝ V
25℃
３
０
２
０
１
０
２
０
０
０
２
４
６
８
１
０
Forward Transconductance ½½
½
（S）
１０
０
５
0
Forward Transconductance Vs.
Drain Current
Drain-Source On-State Resistance Ｒ
Ｓ
½（Ω）
Ｄ
（½ ）
Drain-Source Voltage V
ＤＳ
（V）
０
０
３
４
５
６
Gate-Source Voltage V
ＧＳ
（V）
０３
．
Drain-Source On-State Resistance Vs.
Drain Current
V
GS
10V
Pulse Test
Typical
２
０
V
DS
10V
Pulse Test
Tj
25℃
(Typical)
０２
．
Tj
100
℃
１
０
０１
．
Tj
25
℃
５
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
Tj
25
℃
０
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
Drain CurrentＩ
Ｄ
（A）
Drain CurrentＩ
Ｄ
（A）
Input Capacitance, Output Capacitance,
Reverse Transfer Capacitance
（Typical）
2
１００
００
Ciss
Safe Operating Area
Pw
Capacitance Ｃ
Ｐ
）
（Ｆ
Drain Current I
D
A）
（
１
２
０
5
Pw
10μ
s
Pw
10
s
V
GS
0V
f
1MHz
Tj
25℃
２
１
０
1
Pw
D.C
.
1m
ms
0μ
s
10
１０
００
Coss
Crss
5
２
１
0
０
５
Tc
25
℃
Non-Repetitive
１０
０
０
２
４
０
８
０
１０
２
１０
６
２０
０
２０
４
５
１
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
Drain-Source Voltage V
ＤＳ
（V）
Drain-Source Voltage V
ＤＳ
（V）
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
