NTE5567, NTE5568, NTE5569, & NTE5571
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
for Phase Control Applications
Features:
D
High Current Rating
D
Excellent Dynamic Characteristics
D
Superior Surge Capabilities
D
Standard Package
Voltage Ratings and Electrical Characteristics:
(T
J
= +125°C unless otherwise specified)
Maximum Repetitive Peak Forward and Reverse Voltage (Note 1), V
DRM
, V
RRM
NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Maximum Non–Repetitive Peak Voltage (Note 2), V
RSM
NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Maximum Peak Reverse and Off–State Current, I
DRM
, I
RRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA
Maximum Average On–State Current (180° Sinusoidal Conduction), I
T(RMS)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 (T
C
= +94°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
NTE5571 (T
C
= +90°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Maximum RMS On–State Current, I
T(RMS)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A
Maximum Peak One–Cycle Non–Repetitive Surge Current (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I
TSM
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1430A
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200A
(100% V
RRM
Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200A
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1010A
Maximum I
2
t for Fusing (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I
2
t
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.18KA
2
s
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.21KA
2
s
(100% V
RRM
Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.20KA
2
s
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.10KA
2
s
Voltage Ratings and Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
J
= +125°C unless otherwise specified)
Maximum I
2
√t
for Fusing (t = 0.1 to 10ms, No Voltage Reapplied), I
2
√t
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101.8KA
2
√s
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72.1KA
2
√s
Low Level Value of Threshold Voltage (16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), V
T(TO)1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.94V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.02V
High Level Value of Threshold Voltage (π x I
T(AV)
< I < 20 x
π
x I
T(AV)
), V
T(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.08V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17V
Low Level Value of On–State Slope Resistance (16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), r
t1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.08mΩ
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.78mΩ
High Level Value of On–State Slope Resistance (π x I
T(AV)
< I < 20 x
π
x I
T(AV)
), V
T(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.34mΩ
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.97mΩ
Maximum On–State Voltage (I
pk
= 157A, T
J
= +25°C), V
TM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.60V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.78V
Maximum Holding Current (T
J
= +25°C, Anode Supply 22V, Resistive Load, Initial I
T
= 2A), I
H
. 200mA
Latching Current (Anode Supply 6V, Resistive Load), I
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Maximum Rate of Rise of Turned–On Current, di/dt
(V
DM
= Rated V
DRM
, Gate Pulse = 20V, 15Ω, t
p
= 6µs, t
r
= 0.1µs ax., I
TM
= (2x Rated di/dt) A)
NTE5567, NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs
NTE5569, NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/µs
Typical Delay Time, t
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9µs
(T
C
= +25°C, V
DM
= Rated V
DRM
, DC Resistive Circuit, Gate Pulse = 10V, 15Ω Source, t
p
= 20µs)
Typical Turn–Off Time, t
q
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110µs
(T
C
= +125°C, I
TM
= 50A, Reapplied dv/dt = 20Vµs, dir/dt = –10A/µs, V
R
= 50V)
Maximum Critical Rate of Rise of Off–State Voltage, dv/dt
(Linear to 100% rated V
DRM
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
(Linear to 67% rated V
DRM
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/µs
Maximum Peak Gate Power (t
p
≤
5ms), P
G(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Maximum Average Gate Power, P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Maximum Peak Positive Gate Current, I
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A
Maximum Peak Positive Gate Voltage, +V
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Maximum Peak Negative Gate Voltage, –V
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
DC Gate Current Required to Trigger (6V Anode–to–Cathode Applied), I
GT
. . . . . . . . . . . . . . 50mA
DC Gate Voltage Required to Trigger (6V Anode–to–Cathode Applied, T
J
= +25°C), V
GT
. . . 2.5V
DC Gate Current Not to Trigger (Rated V
DRM
Anode–to–Cathode Applied), I
GD
. . . . . . . . . . 5.0mA
DC Gate Voltage Not to Trigger (Rated V
DRM
Anode–to–Cathode Applied), V
GD
. . . . . . . . . . 0.2V
Operating Junction Temperature Range, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Thermal Resistance
Junction–to–Case (DC Operation), R
thJC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.35K/W
Case–to–Heatsink (Mounting Surface Smooth, Flat, and Greased), R
thCS
. . . . . . . 0.25K/W
Mounting Torque (Non–Lubricated Threads), T . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 – 30 (2.8 – 3.4) lbf–in (Nm)
Note 1. Units may be broken over non–repetitively in the off–state direction without damage, if di/dt
does not exceed 20A/µs.
Note 2. For voltage pulses with t
p
≤
5ms.