N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DZ950N
DZ950N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kenndaten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Elektrische Eigenschaften
T
Thermische Eigenschaften
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
3600
4000 V
4400 V
4100 V
4500 V
1500 A
950 A
35.000 A
29.000 A
6.125.000 A²s
4.205.000 A²s
T
vj
= +25°C... T
vj max
3700
T
C
= 100
°C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FAVM
I
FSM
I²t
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 3000 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
v
F
V
(TO)
r
T
i
R
V
ISOL
max.
1,78 V
0,85 V
0,28 mΩ
max.
100 mA
3,6 kV
3,0 kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module,
Θ
= 180° sin R
thJC
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
0,042 °C/W
0,0405 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by: C. Drilling
approved by: M. Leifeld
date of publication:
revision:
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
max.
0,01 °C/W
160 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
06.05.03
1
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DZ950N
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Mechanische Eigenschaften
Toleranz ±15%
Toleranz ±10%
M1
M2
G
typ.
AlN
6
18
Nm
Nm
2750 g
64 mm
f = 50 Hz
file-No.
50 m/s²
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
DZ950N
Maßbild
2
1
DZ
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Datenblatt / Data sheet
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R,T – Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[°C/W]
0,0011
0,0027
0,0087
0,0231
0,0051
τ
n
[s]
0,0100
0,0188
0,3035
4,994
9,98
n
max
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
n=1
S
R
thn
1 -e
–t
t
n
Transienter Wärmewiderstand
0,04
Θ
=
rec 60°
rec120°
rec180°
sin180°
DC
0,03
0,02
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel
Θ
/ Current conduction angle
Θ
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Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
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R,Tau_Glieder des Kühlers
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
1 Module pro Kühler / 1 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KW70 (4l/min)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[°C/W]
0,00214
0,00035
0,0245
τ
n
[s]
9,89
13
31,3
n
max
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thCA
=
n=1
S
R
thn
1 -e
–t
t
n
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