2014-01-09
Silicon PIN Photodiode
Silizium-PIN-Fotodiode
Version 1.1
BPW 34 SR
BPW 34 SR
• Suitable for reflow soldering
• Especially suitable for applications from 400 nm to
1100 nm
• Short switching time (typ. 20 ns)
• DIL plastic package with high packing density
Features:
• Geeignet für Reflow Löten
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
400 nm bis 1100 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
Besondere Merkmale:
Applications
•
•
•
•
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape
recorders, dimmers, remote controls of various
equipment
•
•
•
•
Anwendungen
Lichtschranken
Industrieelektronik
Messen / Steuern / Regeln
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern,
Gerätefernsteuerungen
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
E
v
= 1000 lx, Std. Light A, V
R
= 5 V
I
P
[µA]
BPW 34 SR
80 (≥ 50)
Q65110A2701
Ordering Code
Bestellnummer
2014-01-09
1
Version 1.1
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Spectral sensitivity
Fotoempfindlichkeit
(V
R
= 5 V, standard light A, T = 2856 K)
Photocurrent
Fotostrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A, V
R
= 5 V)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Half angle
Halbwinkel
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 10 V)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 850 nm)
Symbol
Symbol
S
Values
Werte
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
P
tot
Values
Werte
-40 ... 100
32
150
BPW 34 SR
Unit
Einheit
°C
V
mW
Unit
Einheit
nA/Ix
80 (≥ 50)
I
P
80 (≥ 50)
µA
λ
S max
λ
10%
A
LxW
850
400 ... 1100
7.02
2.65 x 2.65
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
nA
ϕ
I
R
± 60
2 (≤ 30)
S
λ
typ
0.62
A/W
2014-01-09
2
Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 850 nm)
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V
R
= 5 V, R
L
= 50
Ω, λ
= 850 nm, I
P
= 800 µA)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA,
E
= 0)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(Std. Light A)
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm)
Detection limit
Nachweisgrenze
(V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm)
Symbol
Symbol
η
Values
Werte
0.90
BPW 34 SR
Unit
Einheit
Electro
ns
/Photon
mV
V
O
365 (≥ 300)
I
SC
80
µA
t
r
, t
f
0.02
µs
V
F
1.3
V
C
0
72
pF
TC
V
TC
I
-2.6
0.18
mV / K
%/K
NEP
0.041
pW /
Hz
½
cm x
Hz
½
/ W
D
*
6.5e12
2014-01-09
3
Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
100
S
rel
%
80
OHF00078
BPW 34 SR
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
I
P
(V
R
= 5 V) / V
O
= f(E
V
)
10
3
μ
A
OHF01066
Ι
P
10
4
mV
V
O
10
3
10
2
V
O
60
10
1
40
Ι
P
10
2
10
0
20
10
1
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
lx 10
4
E
V
Total Power Dissipation
Verlustleistung
P
tot
= f(T
A
)
160
mW
P
tot
140
120
100
80
60
40
20
0
OHF00958
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(V
R
), E = 0
4000
OHF00080
Ι
R
pA
3000
2000
1000
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
0
0
5
10
15
V
V
R
20
2014-01-09
4
Version 1.1
Capacitance
Kapazität
C = f(V
R
), f = 1 MHz, E = 0
100
C
pF
80
10
2
OHF00081
BPW 34 SR
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(T
A
), V
R
= 10 V, E = 0
10
3
OHF00082
Ι
R
nA
70
60
50
40
30
20
10
0
-2
10
10
-1
10
1
10
0
10
0
10
1
V 10
V
R
2
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
S
rel
= f(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2014-01-09
5
京公网安备 11010802033920号
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