TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1800R17HP4_B9
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4
IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4
VorläufigeDaten/PreliminaryData
V
CES
= 1700V
I
C nom
= 1800A / I
CRM
= 3600A
TypischeAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturT
vjop
• NiedrigesV
CEsat
• T
vjop
=150°C
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• HoheLeistungsdichte
• IHMBGehäuse
• Kupferbodenplatte
TypicalApplications
• HighPowerConverters
• MotorDrives
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureT
vjop
• LowV
CEsat
• T
vjop
=150°C
MechanicalFeatures
• 4kVAC1minInsulation
• PackagewithCTI>400
• HighCreepageandClearanceDistances
• HighPowerDensity
• IHMBHousing
• CopperBasePlate
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2013-11-11
revision:2.2
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:WB
approvedby:PL
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1800R17HP4_B9
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
1700
1800
3600
11,5
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,2
typ.
1,90
2,30
2,40
5,8
19,0
1,1
145
4,75
0,66
0,72
0,73
0,16
0,17
0,17
1,25
1,35
1,40
0,27
0,41
0,46
390
510
560
470
620
660
7500
6,80
150
max.
2,25
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
kW
V
I
C nom
I
CRM
P
tot
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 1800 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 1800 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 1800 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 72,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 1800 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,68
Ω
I
C
= 1800 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,68
Ω
I
C
= 1800 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,8
Ω
I
C
= 1800 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,8
Ω
6,4
5,0
400
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 1800 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 50 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 11000 A/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Gon
= 0,68
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 1800 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 50 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 0,8
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 1000 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
13,0 K/kW
K/kW
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:WB
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-11
revision:2.2
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1800R17HP4_B9
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
1700
1800
3600
590
555
1800
10,0
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
typ.
1,80
1,90
1,95
1800
2100
2250
430
725
830
250
470
540
7,40
150
max.
2,20
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
kA²s
kA²s
P
RQM
t
on min
kW
µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 1800 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1800 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1800 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1800 A, - di
F
/dt = 11000 A/µs (T
vj
=150°C)
vj
= 25°C
T
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 1800 A, - di
F
/dt = 11000 A/µs (T
vj
=150°C)
vj
= 25°C
T
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 1800 A, - di
F
/dt = 11000 A/µs (T
vj
=150°C)
vj
= 25°C
T
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
21,5 K/kW
K/kW
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:WB
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-11
revision:2.2
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1800R17HP4_B9
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
-40
4,25
1,8
M
8,0
G
-
1900
10
Nm
g
4,0
Cu
Al
2
O
3
32,2
32,2
19,1
19,1
> 400
typ.
6,0
0,12
-
-
max.
150
5,75
2,1
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
kV
mm
mm
Gewicht
Weight
preparedby:WB
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-11
revision:2.2
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1800R17HP4_B9
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
3600
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
3600
3300
3000
2700
2400
2100
I
C
[A]
1800
1500
1200
900
600
300
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
3300
3000
2700
2400
2100
I
C
[A]
1800
1500
1200
900
600
300
0
0,0
0,5
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8V
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
3600
3300
3000
2700
2400
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=0.68Ω,R
Goff
=0.8Ω,V
CE
=900V
1600
1400
1200
1000
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
2100
1800
1500
600
1200
900
600
200
300
0
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
0
0
600
1200
1800
I
C
[A]
2400
3000
3600
400
E [mJ]
revision:2.2
5
I
C
[A]
800
preparedby:WB
approvedby:PL
dateofpublication:2013-11-11
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
