t, TIME (
µ
s)
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MJE700,T MJE702 MJE703 MJE800,T MJE802 MJE803
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
60
80
—
—
—
—
—
Max
—
—
Unit
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1)
(IC = 50 mAdc, IB = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
(VCE = 80 Vdc, IB = 0)
MJE700,T, MJE800,T
MJE702, MJE703, MJE802, MJE803
V(BR)CEO
ICEO
µAdc
MJE700,T, MJE800,T
MJE702, MJE703, MJE802, MJE803
100
100
100
500
2.0
Collector Cutoff Current (VCB = Rated BVCEO, IE = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = Rated BVCEO, IE = 0, TC = 100
_
C)
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
DC Current Gain (1)
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 1.5 Adc, IB = 30 mAdc)
(IC = 2.0 Adc, IB = 40 mAdc)
(IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc)
ICBO
IEBO
hFE
µAdc
mAdc
—
ON CHARACTERISTICS
MJE700,T, MJE702, MJE800,T, MJE802
MJE703, MJE803
All devices
750
750
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
VCE(sat)
Vdc
MJE700,T, MJE702, MJE800,T, MJE802
MJE703, MJE803
All devices
2.5
2.8
3.0
2.5
2.5
3.0
—
Base–Emitter On Voltage (1)
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
VBE(on)
Vdc
MJE700,T, MJE702, MJE800,T, MJE802
MJE703, MJE803
All devices
Small–Signal Current Gain (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width
v
300
µs,
Duty Cycle
v
2.0%.
hfe
1.0
—
4.0
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
V2
APPROX
+ 8.0 V
0
V1
APPROX
–12 V
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
51
RB
VCC
– 30 V
ts
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
RC
TUT
2.0
SCOPE
tf
1.0
0.8
0.6
0.4
PNP
NPN
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0
4.0
tr
D1
≈
6.0 k
≈
150
+ 4.0 V
25
µs
For td and tr, D1 id disconnected
and V2 = 0, RB and RC are varied
to obtain desired test currents.
For NPN test circuit, reverse diode,
polarities and input pulses.
td @ VBE(off) = 0
0.2
0.04 0.06
Figure 2. Switching Times Test Circuit
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Figure 3. Switching Times
Z
θJC(t)
= r(t) R
θJC
R
θJC
= 2.50°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC(t)
2.0
5.0
t, TIME (ms)
10
20
50
P(pk)
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
100
200
500
1.0 k
t1
Figure 4. Thermal Response (MJE700T, 800T Series)
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJE700,T MJE702 MJE703 MJE800,T MJE802 MJE803
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
SINGLE PULSE
θ
JC(t) = r(t)
θ
JC
θ
JC = 3.12°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk)
θ
JC(t)
P(pk)
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
t1
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
t, TIME (ms)
10
20
30
50
100
200 300
500
1000
Figure 5. Thermal Response (MJE700, 800 Series)
ACTIVE–REGION SAFE–OPERATING AREA
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0 ms
1.0 ms
100
µs
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
5.0 ms
1.0 ms
100
µs
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
dc
TJ = 150°C
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
MJE702, 703
MJE700
7.0
10
20
30
50
70
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
dc
TJ = 150°C
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
MJE802, 803
MJE800
7.0
10
20
30
50
70
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
Figure 6. MJE700 Series
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
Figure 7. MJE800 Series
The data of Figures 6 and 7 are based on T J(pk) = 150
_
C;
TC is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
< 150
_
C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4
or 5. At high case temperatures, thermal limitations will re-
duce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
10
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
100
µs
1.0 ms
5.0 ms
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150°C
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
5.0
100
µs
1.0 ms
5.0 ms
2.0
1.0
0.5
dc
TJ = 150°C
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
0.2
0.1
5.0
0.2
0.1
5.0
7.0
10
20
30
50
70
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
7.0
10
20
30
50
70
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
Figure 8. MJE700T
Figure 9. MJE800T
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
