Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
t
p
= 1ms
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
T
vj
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
t
p
= 1ms, T
c
= 80°C
T
c
= 25°C; Transistor
V
CES
I
C, nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
I
F
I
FRM
I²t
V
ISOL
1200
50
75
100
V
A
A
A
270
W
+20
V
50
A
100
A
700
A²s
2,5
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
I
C
= 50A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
I
C
= 50A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
I
C
= 2,0mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15V...+15V
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
V
CEsat
V
GE(th)
Q
G
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
min.
-
-
5,0
typ.
1,7
2,0
5,8
max.
2,15
-
6,5
V
V
V
-
-
-
0,47
-
-
-
µC
3,50
nF
0,13
nF
-
-
5
mA
-
-
400
nA
prepared by: MOD-D2; M. Münzer
approved: SM TM; Robert Severin
date of publication: 2002-09-03
revision: 3.0
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03
1 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R12KE3
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
I
C
= 50A, V
CC
= 600V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 125°C
I
C
= 50A, V
CC
= 600V
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 125°C
I
C
= 50A, V
CC
= 600V
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 125°C
I
C
= 50A, V
CC
= 600V
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
Modulinduktivität
stray inductance module
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
T
c
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 125°C
I
C
= 50A, V
CC
= 600V, L
σ
= 70nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 125°C
I
C
= 50A, V
CC
= 600V, L
σ
= 70nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 18Ω, T
vj
= 125°C
t
P
≤
10µs, V
GE
≤
15V, T
Vj
≤
125°C
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
σCE
·di/dt
E
on
E
off
I
SC
L
σCE
R
CC´/EE´
t
f
-
-
-
0,07
0,09
5,0
-
-
-
µs
µs
mJ
t
d,off
-
-
0,42
0,52
-
-
µs
µs
t
r
-
-
0,03
0,05
-
-
µs
µs
t
d,on
-
-
0,09
0,09
-
-
µs
µs
min.
typ.
max.
-
6,5
-
mJ
-
200
-
A
-
19
-
nH
-
2,5
-
mΩ
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 50A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= 50A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
I
F
= 50A, -di
F
/dt= 1900A/µs
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
I
F
= 50A, -di
F
/dt= 1900A/µs
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 50A, -di
F
/dt= 1900A/µs
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
E
rec
-
-
2,2
4,1
-
-
mJ
mJ
Q
r
-
-
5,6
9,9
-
-
µC
µC
I
RM
-
-
67
70
-
-
A
A
V
F
-
-
1,65
1,65
2,15
-
V
V
2 (8)
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R12KE3
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
Abweichung von R
100
deviation of R
100
Verlustleistung
power dissipation
B-Wert
B-value
T
c
= 25°C
T
c
= 100°C, R
100
= 493Ω
T
c
= 25°C
R
2
= R
1
exp[B(1/T
2
- 1/T
1
)]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
min.
-
typ.
5
max.
-
kΩ
-5
-
5
%
-
-
20
mW
-
3375
-
K
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1W/m*K /
λ
grease
= 1W/m*K
R
thJC
R
thCK
T
vj max
T
vj op
T
stg
-
-
-
-
-
0,02
0,45
0,75
-
K/W
K/W
K/W
-
-
150
°C
-40
-
125
°C
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearence distance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Gewicht
weight
Schraube / screw M5
M
3
Al
2
O
3
10,0
mm
7,5
mm
225
-
6
Nm
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
3 (8)
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R12KE3
I
C
= f(V
CE
)
V
GE
= 15V
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
100
90
80
70
60
I
C
[A]
50
40
30
20
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
3,0
3,5
4,0
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
output characteristic (typical)
100
90
80
70
60
I
C
[A]
50
40
30
20
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
V
CE
[V]
3,0
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
I
C
= f(V
CE
)
T
vj
= 125°C
3,5
4,0
4,5
5,0
4 (8)
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R12KE3
I
C
= f(V
GE
)
V
CE
= 20V
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
100
90
80
70
60
I
C
[A]
50
40
30
20
10
0
4
5
6
7
8
V
GE
[V]
9
Tvj=25°C
Tvj=125°C
10
11
12
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
100
90
80
70
60
I
F
[A]
50
40
30
20
10
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
V
F
[V]
1,4
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
I
F
= f(V
F
)
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
5 (8)
DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls
2002-09-03
京公网安备 11010802033920号
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