N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T640N
= -40°C... T
Elektrische
T
Eigenschaften
vj
vj max
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
200 A
≤
i
T
≤
3200 A
on-state characteristic
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter F
T
C
= 85 °C
T
C
= 55 °C,
θ
= 180°sin, t
P
= 10 ms
V
DRM
,V
RRM
1200
1400
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TAVM
I
TRMS
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1200
1400
1300
1500
1600 V
1800 V
1600 V
1800 V
1700 V
1900 V
1250 A
644 A
920 A
1450 A
9400 A
8000 A
442 10³ A²s
320 10³ A²s
200 A/µs
1000 V/µs
T
vj
= +25°C... T
vj max
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 2400 A
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 600 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
T
V
(TO)
r
T
A=
B=
C=
D=
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
max.
max.
2,15 V
1,19 V
0,8 V
0,5 mΩ
v
T
=
A
+
B
⋅
i
T
+
C
⋅
ln ( i
T
+
1)
+
D
⋅
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
i
T
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥
10
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
9,775E-01
2,642E-04
-8,379E-02
2,424E-02
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
250 mA
2,2 V
10 mA
5 mA
0,25 V
300 mA
1200 mA
50 mA
4 µs
DIN IEC 60747-6
t
gd
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication:
revision:
2010-01-13
3.1
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T640N
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
th
4.Kennbuchstabe / 4 letter O
t
q
typ.
250 µs
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,039
0,035
0,062
0,058
0,092
0,089
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
0,007 °C/W
0,014 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
G
F
Seite 3
page 3
6...12 kN
A 2,8x0,5
Ø 1,5
A 4,8x0,5
typ.
110
mm
mm
mm
g
6 mm
50 m/s²
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T640N
Massbild
4 5
1
2
1:
Anode / Anode
2:
Kathode / Cathode
4:
Gate
5:
Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T640N
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung /
Diagramme
Cooling
beidseitig
two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
1
2
3
4
5
-
-
0,024
2,470
0,0357
2,9100
n
max
n=1
6
-
-
-
-
-
-
-t
7
-
-
-
-
-
-
Trans. Wärmewid. beidseitig
0,00043
0,00557
0,019
0,01
0,00027
0,00034
0,00024
0,00026
0,00019
0,00221
0,0054
0,0021
0,00524
0,00192
0,085
0,00486
0,03760
0,0132
0,0562
0,36
0,0234
0,1580
0,0346
0,6500
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
Σ
R
thn
1
−
e
τ
n
0,10
0,09
0,08
0,07
Z
thJC
[°C/W]
0,06
0,05
0,04
b
a
c
0,03
0,02
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T640N
Durchlasskennlinie
Θ
= 180°
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
0,00714
0,00365
Θ
= 120°
0,01288
0,00617
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Θ
∆Z
th
Θ
rec
/
∆Z
th
Θ
sin
Kühlung / Cooling
Θ
= 90°
0,01760
0,00989
Θ
= 60°
0,02477
0,01635
Θ
= 30°
0,03693
0,02873
beidseitig
two-sided
0,00708
0,01274
0,01743
0,02456
0,03659
anodenseitig
anode-sided
0,00363
0,00694
0,00336
0,00611
0,01253
0,00576
0,00981
0,01725
0,00944
0,01630
0,02456
0,01608
0,02873
0,03698
0,02906
kathodenseitig
cathode-sided
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
rec
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
sin
3500
3000
2500
2000
i
T
[A]
T
vj
= T
vj max
1500
1000
500
0
0,5
1
1,5
v
T
[V]
2
2,5
3
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
IFBIP D AEC / 2010-01-13, H.Sandmann
A 01/10
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