TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF400R12KT3
62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlledHighEfficiencyDiode
62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 80°C, T
vj max
= 150°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150
V
CES
1200
400
580
800
2000
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
t
d on
5,0
typ.
1,70
1,90
5,8
3,70
1,9
28,0
1,10
0,16
0,17
0,04
0,045
0,45
0,52
0,10
0,16
18,0
28,0
30,0
45,0
max.
2,15
6,5
5,0
400
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 400 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 16,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,8
Ω
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,8
Ω
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,8
Ω
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,8
Ω
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 8000 A/µs
R
Gon
= 1,8
Ω
I
C
= 400 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 30 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 4500 V/µs
R
Goff
= 1,8
Ω
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 900 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
r
t
d off
t
f
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 125°C
1600
0,03
A
0,062 K/W
K/W
125
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
revision:3.0
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF400R12KT3
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
F
I
RM
1200
400
800
34000
typ.
1,65
1,65
400
480
44,0
80,0
20,0
37,0
0,06
125
max.
2,15
V
V
A
A
µC
µC
mJ
mJ
V
A
A
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 400 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 400 A, - di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 400 A, - di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 400 A, - di
F
/dt = 8000 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,11 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
revision:3.0
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF400R12KT3
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
M
G
-40
3,00
2,5
2,5
Cu
Al
2
O
3
29,0
23,0
23,0
11,0
> 400
typ.
0,01
20
0,70
-
-
340
125
6,00
5,0
max.
K/W
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
revision:3.0
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF400R12KT3
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
800
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
800
720
640
560
480
I
C
[A]
400
320
240
160
80
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
720
640
560
480
I
C
[A]
400
320
240
160
80
0
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
0,0
0,5
1,0
1,5
V
CE
[V]
2,0
2,5
3,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
800
720
640
560
480
400
320
240
160
80
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1.8Ω,R
Goff
=1.8Ω,V
CE
=600V
120
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
100
80
E [mJ]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
I
C
[A]
60
40
20
0
0
100
200
300
400
I
C
[A]
500
600
700
800
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
revision:3.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF400R12KT3
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
0,1
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=400A,V
CE
=600V
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
Z
thJC
: IGBT
Z
thJC
[K/W]
E [mJ]
0,01
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,00372 0,02046 0,01984 0,01798
τ
i
[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0
2
4
6
8
10
R
G
[Ω]
12
14
16
18
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=1.8Ω,T
vj
=125°C
900
I
C
, Modul
I
C
, Chip
800
700
600
500
400
300
200
100
0
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
800
720
640
560
480
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
I
C
[A]
I
F
[A]
0
200
400
600
800
V
CE
[V]
1000
1200
1400
revision:3.0
5
400
320
240
160
80
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
V
F
[V]
preparedby:MK
approvedby:WR
dateofpublication:2013-10-03
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
