Hyper Multi TOPLED
®
Hyper-Bright LED
Besondere Merkmale
Gehäusebauform: P-LCC-4
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
bei geeigneter Ansteuerung, Farbwechsel von grün über
gelb und orange bis super-rot möglich
q
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
q
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
q
Störimpulsfest nach DIN 40839
q
q
q
q
q
q
q
LSY T676
Features
P-LCC-4 package
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
both chips can be controlled separately
high signal efficiency possible by color change of the LED
with appropriate controlling it is possible to change color
from green to yellow and orange to super-red
q
suitable for all SMT assembly and soldering methods
q
available taped on reel (8 mm tape)
q
load dump resistant acc. to DIN 40839
q
q
q
q
q
q
q
Typ
Type
Emissions- Farbe der
farbe
Lichtaus-
trittsfläche
Color of
Color of the
Emission
Light Emitting
Area
super-red /
yellow
colorless clear
Lichtstärke
Bestellnummer
Luminous Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
super-red
yellow
Ordering Code
LSY T676
LSY T676-P+P
LSY T676-P+Q
LSY T676-P+R
LSY T676-Q+Q
LSY T676-Q+R
≥
40
40
40
40
63
63
...
...
...
...
...
80
80
80
125
125
≥
40
40 ...
63 ...
100 ...
63 ...
100 ...
80
125
200
125
200
Q62703-Q3428
Semiconductor Group
1
11.96
VPL06837
LSY T676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
LS
Wert
Value
LY
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
30
20
to be defined
˚C
˚C
˚C
mA
A
Einheit
Unit
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
80
3
55
V
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board*
)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
R
th JA1)
mounted on PC board*
)
(pad size
≥
16 mm
2
)
R
th JA2)
*
)
PC-board: FR4
1)
2)
500
600
K/W
K/W
nur ein Chip betrieben
beide Chips betrieben
1)
2)
one system only
both systems on simultaneously
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
2
LSY T676
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperature coefficient of
λ
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 20 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 20 mA
(typ.)
(typ.)
(typ.)
TC
V
(typ.)
– 1.95
– 2.51
mV/K
Symbol
Symbol
LS
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
(typ.)
∆λ
(typ.)
2ϕ
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
TC
λ
TC
λ
645
Wert
Value
LY
591
Ein-
heit
Unit
nm
630
587
nm
16
15
nm
120
2.0
2.6
0.01
10
0.014
0.14
120
2.0
2.6
0.01
10
0.096
0.13
Grad
deg.
V
V
µA
µA
nm/K
nm/K
Semiconductor Group
3
LSY T676
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LSY T676
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
T
A
)
Max. permissible forward current
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(20 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
f
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
D
= Parameter;
T
A
= 25
°C
Semiconductor Group
5