KOM 2100 B
KOM 2100 BF
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray
6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q
Especially suitable for applications from
q
q
q
q
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM
2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF)
Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns)
Kathode = Chipunterseite
Geeignet für Diodenbetrieb (mit
Vorspannung) und Elementbetrieb
SMT-fähig
q
q
q
q
400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of
880 nm (KOM 2100 BF)
Short switching time (typ. 13 ns)
Cathode = back contact
Available as photodiode with reverse
voltage or photovoltaic cell
Suitable for SMT
Anwendungen
q
Universell, z.B. Drehwinkelgeber
Applications
q
General-purpose, e.g. encoders
Typ
Type
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-K35
Q62702-K34
Gehäuse
Package
Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit
klarem bzw. schwarzem Epoxyverguß
pcb with SMT flanks, cover frame sealed with
transparent or black epoxy
Semiconductor Group
469
10.95
feof6529
feo06529
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
20
150
Einheit
Unit
°C
V
mW
T
A
;
T
stg
V
R
P
tot
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm) für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der
bestrahlungsempfinlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Verguβober-
fläche
Distance chip front to case seal
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Sym-
bol
Wert
Value
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
8.5 (≥ 6.6)
µA
9 (≥ 7)
Einheit
Unit
S
λ
S max
λ
870
400 ... 1100
870
730 ... 1100
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
2.5
1
×
2.5
2.5
1
×
2.5
mm
2
mm x mm
0.4 ... 0.6
0.4 ... 0.6
mm
ϕ
±
60
1 (≤ 10)
0.68
±
60
1 (≤ 10)
0.64
Grad
deg.
nA
A/W
I
R
S
λ
Semiconductor Group
470
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm) für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Quantenausbeute
Quantum yield
Maximale Abweichung der
Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
Kurzschlußstrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Anstiegszeit/Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω,
V
R
= 10 V;
λ
= 850 nm;
I
P
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA;
E
= 0
Forward voltage
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V
; f
= 1 MHz;
E
= 0
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
P
Temperature coefficient of
I
P
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
Sym-
bol
η
∆
S
Wert
Value
KOM 2100 B
0.9
±
10
KOM 2100 BF
0.85
±
10
Electrons
Photon
%
Einheit
Unit
I
SC
V
O
t
r
,
t
f
8.5
320 (≥ 250)
13
8
320 (≥ 250)
13
µA
mV
ns
V
F
C
0
1.2
25
1.2
25
V
pF
TC
V
TC
I
NEP
– 2.6
0.18
2.6
×
10
–14
– 2.6
0.18
2.8
×
10
–14
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
6.1
×
10
12
5.7
×
10
12
Semiconductor Group
471
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Relative spectral sensitivity
KOM 2100 B,
S
rel
=
f
(λ)
Relative spectral sensitivity
KOM 2100 BF,
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent,
I
P
=
f
(E
e
);
V
R
= 5 V,
Open-circuit voltage
V
O
=
f
(E
e
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
=0
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
Semiconductor Group
472
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
