Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse
Narrow beam LED in MIDLED package
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4650
SFH 4655
SFH 4650
SFH 4655
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
•
Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
(40 mW)
•
Emissionswellenlänge typ. 850 nm
•
Enger Abstrahlwinkel ( 20°)
•
geringe Bauhöhe
•
Als Toplooker und Sidelooker einsetzbar
•
SFH 4650: Gurtung als Toplooker
SFH 4655: Gurtung als Sidelooker
Anwendungen
•
Infrarotbeleuchtung für CMOS Kameras
•
IR-Datenübertragung
•
Sensorik in der Automobiltechnik
•
Fernsteuerung
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werde
n.
Typ
Type
SFH 4650
SFH 4655
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A1572
Q65110A1569
Features
•
•
•
•
•
•
High Power (40 mW) Infrared LED
Peak wavelength typ. 850 nm
Narrow halfangle ( 20°)
low profile component
Usable as top-looking and side-looking device
SFH 4650: Taping as Toplooker
SFH 4655: Taping as Sidelooker
Applications
•
Infrared Illumination for CMOS cameras
•
IR Data Transmission
•
Automotive sensors
•
Remote controls
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1
“Safety
of laser products”.
Strahlstärkegruppierung
(
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
I
e
(mW/sr)
>16 (typ. 40)
>16 (typ. 40)
2005-03-08
1
Vorläufige Daten / Preliminary Data
SFH 4650, SFH 4655
ATTENTION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device
Grenzwerte
(
T
A
= 25 C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlassstrom
Forward current
Stoßstrom,
10 s,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht
1)
Thermal resistance junction
Wärmewiderstand Sperrschicht
2)
Thermal resistance junction
1)
Symbol
Symbol
Wert
Value
–
40
5
100
1
180
340
180
+ 100
Einheit
Unit
C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJS
Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
2)
Lötstelle bei Montage auf Metall-Block
soldering point, mounted on metal block
Kennwerte
(
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Symbol
Symbol
peak
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
35
nm
20
Grad
deg.
2005-03-08
2
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Kennwerte
(
T
A
= 25 C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.09
0.3
12
SFH 4650, SFH 4655
Einheit
Unit
mm
2
A
L B
L W
t
r
,
t
f
0.3
mm
ns
V
F
V
F
I
R
1.5 ( 1.8)
2.4 (< 3.0)
0.01 ( 10)
V
V
A
e
40
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of ,
I
F
= 100 mA
–
0.5
%/K
TC
V
TC
–
0.7
+ 0.2
mV/K
nm/K
2005-03-08
3
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Strahlstärke I
e
in Achsrichtung
1)
gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr
Radiant Intensity I
e
in Axial Direction
at a solid angle of = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 s
1)
1)
SFH 4650, SFH 4655
Symbol
-S
I
e min
I
e max
I
e typ
16
32
200
Werte
Values
-T
25
50
250
40
80
300
-U
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Only one group in one packing unit, (variation lower 2:1)
2005-03-08
4
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
( )
100
%
OHL01714
SFH 4650, SFH 4655
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
Radiant Intensity
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
)
Single pulse,
t
p
= 20 s
10
0
A
OHL01713
Single pulse,
t
p
= 20 s
10
1
OHL01715
I
e
I
e (100 mA)
10
0
5
I
F
I
rel
80
10
-1
5
60
10
-1
5
40
10
-2
5
10
-2
20
10
-3
5
5
0
700
750
800
850
nm 950
10
-3 0
10
5 10
1
5 10
2
mA 10
3
10
-4
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3
I
F
V
F
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
);
R
thJA
= 450 K/W
1)
110
mA
OHF02533
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(t
p
),
T
A
= 25 C
duty cycle
D
= parameter
I
F
1.2
A
1.0
OHF02532
D
=
T
P
t
t
P
I
F
T
I
F
90
80
70
60
D
=
0.8
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0.6
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
0.2
0.4
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
T
A
t
p
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
( )
OHF02432
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1)
1.0
0.8
0.6
0.4
mounted on PC board FR 4
(pad size 16 mm
2
)
5
2005-03-08
京公网安备 11010802033920号
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