2014-01-14
Silicon NPN Phototransistor Arrays
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen
Version 1.1
BPX 80, BPX 82 ... BPX 89
•
Spectral range of sensitivity:
(typ) 450 ... 1100
nm
•
Package:
Miniature Array, Epoxy
•
Special:
Multiple-digit array package
• High linearity
• Available in groups
Features:
•
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
(typ) 450 ... 1100 nm
•
Gehäuse:
Miniatur Array, Harz
•
Besonderheit:
Mehrstellige Zeilenbauform
• Hohe Linearität
• Gruppiert lieferbar
Besondere Merkmale:
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Anwendungen
• Miniatur Lichtschranken
• Industrieelektronik
• Messen / Steuern / Regeln
2014-01-14
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Version 1.1
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ
= 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
[µA]
BPX 82
BPX 83
BPX 84
BPX 85
BPX 86
BPX 87
BPX 88
BPX 89
BPX 80
Note:
Anm.:
BPX 80, BPX 82 ... BPX 89
Ordering Code
Bestellnummer
> 320
> 320
> 320
> 320
> 320
> 320
> 320
> 320
> 320
Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Q62702P0021
Q62702P0025
Q62702P0030
Q62702P0031
Q62702P0022
Q62702P0032
Q62702P0033
Q62702P0026
Q62702P0028
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector current
Kollektorstrom
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
CE
I
C
I
CS
Values
Werte
-40 ... 80
35
50
200
Unit
Einheit
°C
V
mA
mA
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Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance for mounting on pcb
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
Half angle
Halbwinkel
Capacitance
Kapazität
(V
CE
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Dark current
Dunkelstrom
(V
CE
= 20 V, E = 0)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(I
C
= 1 mA, V
CC
= 5 V, R
L
= 1 kΩ)
Symbol
Symbol
V
EC
P
tot
R
thJA
BPX 80, BPX 82 ... BPX 89
Values
Werte
7
90
750
Unit
Einheit
V
mW
K/W
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
10%
A
LxW
ϕ
C
CE
Values
Werte
850
450 ... 1100
0.11
0.55 x 0.55
± 18
7.5
Unit
Einheit
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
pF
I
CE0
1 (≤ 50)
nA
t
r
, t
f
6
µs
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Version 1.1
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Photocurrent Max
Photocurrent
Min Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, min
[µA]
-A
-B
-C
Group
Gruppe
320
400
500
Max Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, max
[µA]
630
800
BPX 80, BPX 82 ... BPX 89
Typ Photocurrent Rise and fall time
Typ Fotostrom
Anstiegs- und
Abfallzeit
E
V
= 1000 lx, Std. I
C
= 1 mA,
Light A, V
CE
= 5 V V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
I
PCE
[µA]
1500
1900
2300
(typ) t
r
, t
f
[µs]
5.5
6
8
Collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
I
C
= I
PCEmin
x 0.3, E
e
= 0.5 mW/cm
2
(typ) V
CEsat
[mV]
-A
-B
-C
Note:
150
150
150
For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite
group.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch
die Bestellung einer definierten Gruppe nicht möglich.
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
Anm.:
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Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
100
OHF04048
BPX 80, BPX 82 ... BPX 89
Photocurrent
Fotostrom
I
PCE
= f(E
e
),
V
CE
= 5 V
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900
nm 1100
λ
Photocurrent
Fotostrom
I
PCE
/ I
PCE
(25°C) = f(T
A
), V
CE
= 5 V
Dark Current
Dunkelstrom
I
CEO
= f(V
CE
), E = 0
10
1
nA
OHF04049
I
CEO
10
0
10
-1
10
-2
0
5
10
15
20
25
30 V 35
V
CE
2014-01-14
5
京公网安备 11010802033920号
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