注文コード No. N 8 1 5 4
3LP03M
3LP03M
特長
・½オン抵抗。
・高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
P チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
・高静電耐量 (TYP300V) [ゲート・½ース間保護用片側 Di 内蔵]。
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・½ース電圧
ゲート・½ース電圧(*1)
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
許容損失
チャネル温度
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
条件
定格値
− 30
− 10
− 0.25
−1
0.15
150
unit
V
V
A
A
W
℃
℃
保存周囲温度
Tstg
− 55 ∼+ 150
(*1) : 本½品は、ゲート酸化膜保護用 G-S 間 Di が片側となっているため、回路設計において御注意下さい。
電気的特性
Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
ドレイン・½ース降伏電圧
ドレイン・½ースしゃ断電流
ゲート・½ースもれ電流
ゲート・½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
単½品名表示:XG
記号
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
条件
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 30V, VGS=0
VGS= − 8V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 100µA
VDS= − 10V, ID= − 120mA
ID= − 120mA, VGS= − 4V
ID= − 60mA, VGS= − 2.5V
ID= − 10mA, VGS= − 1.5V
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
指定回路において
指定回路において
指定回路において
指定回路において
min
− 30
−1
− 0.4
0.24
0.4
1.5
2.0
4.0
40
8
4.5
9.5
5
15
13
1.9
2.8
8.0
−1
− 1.4
定格値
typ
max
unit
V
µA
µA
V
S
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
次ページへ続く。
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を要する用途
(生½維持装½、
航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)
に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
22805PE TS IM ◎川浦 TA-101199 No.8154-1/4
3LP03M
前ページより続く。
項目
総ゲート電荷量
ゲート・½ース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
外½図
unit : mm
2158A
VIN
0.425
0.2
0.3
0.15
記号
Qg
Qgs
Qgd
VSD
条件
VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 250mA
VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 250mA
VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 250mA
IS= − 250mA, VGS=0
min
定格値
typ
0.8
0.3
0.2
− 0.9
max
unit
nC
nC
nC
− 1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
VDD= --15V
0V
--4V
VIN
ID= --120mA
RL=125Ω
3
1.25
2.1
0 to 0.1
D
PW=10µs
D.C.≦1%
VOUT
0.425
1
2
0.65 0.65
2.0
0.3
0.9
0.6
G
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCP
3LP03M
P.G
50Ω
S
--0.30
ID -- VDS
0V
-
2
.5
V
--6.0
--4.5V
--4.
V
0V
--3.
5V
--0.50
ID -- VGS
--25
°
C
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
Ta=
--0.25
--0.40
--0.35
--0.30
--0.25
--0.20
--0.20
--0.15
VGS=
--1.5V
--0.10
--0.05
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--25
°
C
--0.05
25
°
C
Ta=
--0.10
75
°
C
--0.15
--1.5
--2.0
25
°
C
--2.5
--3.0
75
°
C
--2.0
--3.
V
VDS= --10V
--0.45
--3.5
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) --
Ω
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
IT07653
Ta=25
°C
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) --
Ω
RDS(on) -- VGS
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
--60
IT07654
RDS(on) -- Ta
ID= --120mA
--60mA
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
--60
I D=
m
1
I D=
--
=
--4.0
, V GS
20mA
= --2.
VGS
A,
5V
V
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
IT08162
周囲温度, Ta --
°
C
IT07656
No.8154-2/4
3LP03M
1.0
7
y
fs -- ID
VDS= --10V
--1.0
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS=0
順伝達アドミタンス,
y
fs -- S
5
3
2
Ta
0.1
7
5
3
2
-25
=
-
75
°
C
順電流, IF -- A
°
C
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.01
--0.001
--0.001
2
3
5 7--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
IT07657
60
0
--0.2
--0.4
Ta=7
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
--0.6
--0.8
°
C
25
--1.0
--1.2
--1.4
ドレイン電流, ID -- A
3
SW Time -- ID
Ciss, Coss, Crss -- VDS
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT07658
スイッチングタイム, SW Time -- ns
2
VDS= --15V
VGS= --4V
50
Ciss, Coss, Crss -- pF
10
7
5
td (off)
tf
40
Ciss
td(on)
tr
30
20
3
2
--0.1
10
Coss
Crss
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
IT08163
0
2
3
5
7
IT07659
ドレイン電流, ID -- A
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) --
Ω
VGS -- Qg
ドレイン・½ース電圧, VDS -- V
5
RDS(on) -- ID
ゲート・½ース電圧, VGS -- V
VDS= --10V
ID= --0.25A
VGS=
--4V
3
2
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
1.0
7
5
--0.01
0.7
0.8
2
3
5
7
--0.1
2
3
5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT07661
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) --
Ω
VGS=
--2.5V
ドレイン・½ース間オン抵抗, RDS(on) --
Ω
5
RDS(on) -- ID
ドレイン電流, ID -- A
7
7 --1.0
IT08164
RDS(on) -- ID
VGS=
--1.5V
3
5
Ta=75
°
C
2
Ta=75
°
C
--25
°
C
--25
°
C
25
°
C
25
°
C
3
1.0
7
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
5
ドレイン電流, ID -- A
--1.0
IT08165
7
2
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
5
ドレイン電流, ID -- A
7 --1.0
IT08166
No.8154-3/4
3LP03M
0.20
PD -- Ta
0.15
許容損失, PD -- W
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta --
°C
IT07665
取り扱い上の注意:本½品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の½品は、定められた条件下において、記載部品単½の性½・特性・機½などを規定するものであ
り、お客様の½品(機器)での性½・特性・機½などを保証するものではありません。部品単½の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の½品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の½品を供給することに努めております。しかし、半導½½品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人½にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可½性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動½防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の½品が、外½為替及び外½貿易法に定める規制貨物(½務を含む)に該½する場合、輸出する
際に同法に基づく輸出許可が必要です。
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複½することを禁止します。
本書に記載された内容は、½品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
がって、ご½用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その½用
にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実½に対する保証を行うものではありません。
PS No.8154-4/4