Bridge Diode
シングルインライン型
Single In-line Package
D25XB
□
800V 25A
特長
• 薄型 S
I
P パッケージ
• UL E142422
• 大電流容量
• 高耐圧・高
I
FSM
• 高放熱伝導性
■外観図 OUTLINE
Package：5S
Unit : mm
Weight : 7.1g typ.）
（
管理番号
（例）
Control No.
品名
Type No.
30
ロッ
ト記号
（例） 4.6
Date code
D25XB 60
＋
①
∼ ∼
② ③
−
④
+
∼
∼
0264
20
−
Feature
•
•
•
•
•
Thin-S
I
P
UL E142422
Large
I
o
High Voltage・Large
I
FSM
High Thermal Radiation
①
②
③
④
17.5
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings（
指定のない場合
Tc=25℃／
unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
）
単½
Unit
℃
℃
800
V
A
A
A
2
s
k
V
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
I
2
t
V
dis
TOR
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
品 名
Type No.
D25XB20 D25XB60 D25XB80
−40∼150
150
200
フィン付き
Tc = 98℃
With heatsink
フィンなし
Without heatsink
Ta = 25℃
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
１素子½たりの規格値
1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，
per diode
600
25
3.5
350
300
2.5
0.8
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended
torque : 0.5 N・m）
N・m
●電気的・熱的特性 Electrical
Characteristics（
指定のない場合
Tc=25℃／
unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
）
V
μA
V
F
I
R
θjc
θjl
θja
熱抵抗
Thermal Resistance
パルス測定、１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
V
RM
,
パルス測定、１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・ケース間，フィン付き
Junction to Case, With heatsink
接合部・リード間，フィンなし
Junction to Lead, Without heatsink
接合部・周囲間，フィンなし
Junction to Ambient, Without heatsink
I
F =
12.5A,
MAX
MAX
MAX
MAX
MAX
1.05
10
1
5
22
℃/W
90
（J534）
MCU
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
