ハイ リ ド型 ホールIC EWシ ーズ
ブ ッ
リ
EW6672
片極検知
電源電圧
2.4∼3.3Ｖ
●磁電変換特性
Vout
S
マーク面
H
V
OH
梱包は3000個/巻のテ−ピングとなります。
EW6672は、
InSb高感度ホール素子と波½整½用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリ ド化したものです。
ッ
ホール素子はパルス駆動されているため、
Vdd=3V時平均消費電流5μAときわめて½消費電力です。
ホール素子
パルス駆動
超高感度
Bop 1.5mT
：
出力½式
CMOS出力
薄型表面実装
パッケージ
1 Vcc
：
2 Vss
：
1
3
3 OUT
：
N
印加磁束の方向
V
OL
N極
0
Brp Bop
磁束密度
L
S極
Bh
●回路構成
1:Vdd
項 目
電
出
源
力
電
電
記号
圧
Vdd
圧
Iout
定 格
−
0.1
∼
5
単 ½
V
mA
℃
℃
Dynamic
Offset Cancellator
●最大定格
（Ta=25℃）
Switch
3:OUT
±1
−
30
∼
85
−
40
∼
125
動 ½ 周 囲 温 度
Topr
保
存
温
度
Tstg
2:Vss
Pulse
Hall
Chopper Amplifier
Regulator Element Stabilizer
Schmitt
trigger
&Latch
Output
Stage
●電気的特性
（Ta=25℃ Vdd=3V）
項 目
記号
測 定 条 件
最小
2.4
1.0*
0.8
0.1*
標準
3.0
1.5
1.2
0.3
50
Vdd
−0.4
0.4
5
10
最大
3.3
2.3
1.9*
0.6*
100
単½
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
●磁界特性
（Ta=30℃∼85℃ Vdd=3V）
項 目
記号
測 定 条 件
最小
0.9
0.8
0.1
標準
1.5
1.2
0.3
最大
2.9
2.3
0.8
単½
mT
mT
mT
動 ½ 電 圧 範 囲
Vdd
動 ½ 磁 束 密 度
B
OP
復帰磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
パルス駆動周期
Brp
Bh
Tp
動 ½ 磁 束 密 度
B
OP
復帰磁束密度
ヒ ス テリシ ス 幅
Brp
Bh
注）
本特性は設計保証と り す。
な ま
出 力 H i g h 電 圧
VOH Io=−1.0mA
出 力 L o w 電 圧
VOL
電
源
電
圧
Idd
Io=＋1.0mA
平均値
1
［mT½ ［Gauss½
=10
「*」
印の特性値は設計保証値にな ま
り す。
EW6672
•½品はある確率で故障する可½性があります。
医療機器、
自動車、
航空宇宙機器、
原子力制御用機器等、
その装½ 機器の故障や動½不良が直接または間接を問わず、 ・ ・
・
生½ 身½ 財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社½品を½用される場合は、
必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
ください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
a
●外½寸法図
（単½ ½½）
：
●
（参考） ド½状
ラン
（単½ mm）
：
5
°
0.3
3.0
±
0.1
0.4
2
0.11
1.00
0.70
5
°
2.2
±
0.1
3.1
±
0.1
0.48
φ0.3
Sensor Center
5
°
0.70
0.70
0.95
0.95
5
°
5
°
1.0
±
0.1
0.75
1 Vdd
：
2 Vss
：
3 OUT
：
※注 センサに中心はφ0.3mmの
円内に½½します。
1.00
0.3
1
3
0.3
0.0
±
0.05
2.60
5
°
0.95
0.95
g
5
°
5
°
●½用電圧範囲
3.4
3.2
入力電圧
［V½
3
2.8
2.6
2.4
2.2
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度
［℃½
●パルス駆動消費電流
（Vdd=3V）
Idd
12μs
Idd on
（typ : 3mA）
50ms
i
Idd
（typ : 5μA）
Idd off
（typ : 4μA）
time
●動½磁束密度温度特性
6
Vdd＝3V
5
動½磁束密度
［mT½
4
●動½タイミング
Idd
Idd
o
B
t
B
Brp
t
Bop
3
2
1
0
−40
Bop
Brp
−20
0
20
40
60
80
100
Vout
High
t
Vout
High
Low
t
Operate Point Timing
Release Point Timing
t
t
Low
周囲温度
［℃½
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
