FF600R12ME4E_B11
EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC
EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 600A / I
CRM
= 1200A
PotentielleAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Motorantriebe
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigesV
CEsat
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
• HoheLeistungsdichte
• IsolierteBodenplatte
• PressFITVerbindungstechnik
• Standardgehäuse
PotentialApplications
• Auxiliaryinverters
• Motordrives
• Solarapplications
• UPSsystems
ElectricalFeatures
• LowV
CEsat
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
withpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures
• Highpowerdensity
• Isolatedbaseplate
• PressFITcontacttechnology
• Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2017-12-05
FF600R12ME4E_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1200
600
1200
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,16
0,19
0,19
0,13
0,14
0,15
0,40
0,47
0,51
0,10
0,17
0,19
36,0
54,0
59,0
38,5
55,0
62,0
2400
5,25
typ.
1,75
2,00
2,05
5,80
4,40
1,2
37,0
2,05
3,0
400
max.
2,10
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,0473 K/W
0,0302
-40
150
K/W
°C
V
A
A
V
I
C nom
I
CRM
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 600 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 600 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 600 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 23,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 600 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,3
Ω
I
C
= 600 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 1,3
Ω
I
C
= 600 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,3
Ω
I
C
= 600 A, V
CE
= 400 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 1,3
Ω
6,35
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 600 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 65 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 3050 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 1,3
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 600 A, V
CE
= 400 V, L
S
= 65 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 1,3
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
2
V3.0
2017-12-05
FF600R12ME4E_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
600
1200
40000
37500
typ.
1,65
1,65
1,65
285
355
375
57,0
105
115
20,0
35,0
39,5
max.
2,10
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,0766 K/W
0,0474
-40
150
K/W
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 600 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 600 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 600 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 600 A, - di
F
/dt = 3750 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 600 A, - di
F
/dt = 3750 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 600 A, - di
F
/dt = 3750 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 400 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
NTC
= 25°C
T
NTC
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
NTC
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
3375
3411
3433
-5
min.
typ.
5,00
5
20,0
max.
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
3
V3.0
2017-12-05
FF600R12ME4E_B11
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
min.
L
sCE
T
stg
M
M
G
-40
3,00
3,0
-
345
3,4
Cu
Al
2
O
3
14,5
13,0
12,5
10,0
> 200
typ.
20
125
6,00
6,0
max.
nH
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
The electrical characterization was performed in NPC2 topology, which combines the modules FF600R12ME4E_B11 and
FF600R12ME4_B11. It has to be considered, that the commutation in this configuration takes place between both modules.
Die elektrische Charakterisierung wurde in NPC2-Topologie durchgeführt. Dabei werden die Module FF600R12ME4E_B11
und FF600R12ME4_B11 kombiniert. Es ist zu beachten, dass die Kommutierung zwischen den beiden Modulen stattfindet.
Datasheet
4
V3.0
2017-12-05
FF600R12ME4E_B11
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
1200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
1200
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
1000
1000
800
800
I
C
[A]
600
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
600
400
400
200
200
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
1200
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1.3Ω,R
Goff
=1.3Ω,V
CE
=400V
400
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
350
1000
300
800
250
E [mJ]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
I
C
[A]
600
200
150
400
100
200
50
0
0
0
200
400
600
I
C
[A]
800
1000
1200
Datasheet
5
V3.0
2017-12-05
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
