BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47
BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47
Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes
Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden
Version 2006-04-27
Ø
12.75
Ø
11
±0.1
Nominal Current
Nennstrom
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruchspannung
Rändel 0.8
knurl 0.8
35 A
22 ... 47 V
28.5
min
1.3
Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx.
Gewicht ca.
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
10 g
Ø
13
±01
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type / Typ
Wire to / Draht an
Anode
BYZ35A22
BYZ35A27
BYZ35A33
BYZ35A39
BYZ35A47
Cathode
BYZ35K22
BYZ35K27
BYZ35K33
BYZ35K39
BYZ35K47
Breakdown voltage
Abbruchspannung
I
T
= 100 mA
V
BRmin
[V]
19.8
24.3
29.7
35.1
42.3
V
BRmax
[V]
24.2
29.7
36.3
42.9
51.7
Reverse voltage
S
perrspannung
I
R
= 5 µA
V
R
[V]
> 17.8
> 21.8
> 26.8
> 31.6
> 38.1
T
C
= 150°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
T
jmax
5
±0.2
10.7
±0.2
Grenzwerte
Max. clamping voltage
Max. Begrenzerspanng.
at / bei I
pp
, t
p
= 1 ms
V
C
[V]
31.9
39.1
47.7
56.4
67.8
I
pp
[A]
157
128
105
89
74
35 A
72 A
1
)
360/400 A
660 A
2
s
-50...+215°C
-50...+215°C
+280°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Max. junction temperature in case of “Load-Dump“
Max. Sperrschichttemperatur bei “Load-Dump“
1
Max. case temperature T
C
= 150°C – Max. Gehäusetemperatur T
C
= 150°C
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47
Characteristics
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
Thermal Resistance Junction – Case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Maximum pressing force
Maximaler Einpressdruck
T
j
= 25°C
I
F
= 35 A
V
F
R
thC
F
pmax
Kennwerte
< 1.1 V
< 0.8 K/W
7 kN
120
[%]
100
10
3
[A]
10
2
T
j
= 125°C
80
10
T
j
= 25°C
60
40
1
20
I
FAV
0
0
T
C
50
100
150
200
[°C]
I
F
10
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
-1
360a-(35a-1,1v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
3
[A]
10
2
î
F
10
1
10
10
[n]
10
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
2
3
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
2
stm32/stm8
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