OSRAM OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LE A G3W, LE T G3W, LE B G3W
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
•
Gehäusetyp:
Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie mit
Glasabdeckung
•
Besonderheit des Bauteils:
extrem hohe
Helligkeit und Leuchtdichte dank
Oberflächenemission und niedrigem R
th
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
•
Wellenlänge:
617 nm (amber); 520 nm (true
green); 464 nm (blue)
•
Abstrahlwinkel:
Lambertscher Strahler (120°)
•
Abstrahlende Fläche:
typ. 3,2 x 2,1 mm²
•
Technologie:
Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
•
Leuchtdichte:
26*10
6
cd/m² (amber);
41*10
6
cd/m² (true green); 9*10
6
cd/m² (blue)
•
Montierbarkeit:
verschraubbar
•
Stecker:
10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
•
ESD-Festigkeit:
ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-D
•
Verpackungseinheit:
50 St. pro Box
= Verpackungseinheit
•
Erweiterte Korrosionsfestigkeit:
Details siehe Seite 14
Features
•
package:
compact lightsource in multi chip on
board technology with glass window on top
•
feature of the device:
outstanding brightness
and luminance due to pure surface emission
and low R
th
prepared for additional optics
•
wavelength:
617 nm (amber); 520 nm (true
green); 464 nm (blue)
•
viewing angle:
Lambertian Emitter (120°)
• light emitting surface: typ. 3.2 x 2.1 mm²
•
technology:
Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
•
Luminance:
26*10
6
cd/m² (amber);
41*10
6
cd/m² (true green); 9*10
6
cd/m² (blue)
•
mounting methods:
screw holes
•
connector:
10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
•
ESD-withstand voltage:
up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-D
•
method of packing:
50 pcs. per tray
= packing unit
•
Superior Corrosion Robustness:
details see page 14
Anwendungen
• Projektion
• Medizintechnik: Operationslampen
• Strahler für die Allgemeinbeleuchtung
Applications
• projection
• medical lighting: surgery light
• spotlights
2010-03-03
1
LE A G3W, LE T G3W, LE B G3W
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Emissionsfarbe
Color of Emission
Type
Lichstärke
1)
Seite 19
Luminous
Intensity
1)
page 19
I
F
= 1 A
Ι
V
(cd)
112 ...224
180 ...355
45 ... 90
Lichtfluss
2)
Seite 19
Luminous Flux
2)
page 19
I
F
= 1 A
Φ
V
(lm)
465 typ.
735 typ.
168 typ.
LE A G3W-LAMA-34
LE T G3W-MANA-25
LE B G3W-JAKA-23
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Type
LE A G3W-LAMA-34
LE T G3W-MANA-25
LE B G3W-JAKA-23
LE_ACC_SHR_10V_SR
amber
true green
blue
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A7698
Q65110A7703
Q65110A7701
Q65110A4679 (Connector)*
Anm.: Die oben genannten Typbezeichnungen umfassen die bestellbaren Selektionen. Diese bestehen aus einer
Helligkeitsgruppe. Es wird nur eine einzige Helligkeitsgruppe und Farbgruppe pro Verpackungsbox geliefert.
* Zum Zweck der Bemusterung kann in kleinen Stückzahlen der konfektionierte JST-Gegenstecker mit Kabel
angefordert werden.
Note:
The above Type Numbers represent the order groups which includes only one brightness group per color and
tray. Only one group will be shipped on each tray.
*In small amounts for the purpose of sampling the corrsponding connector assembled with cable can be
ordered.
2010-03-03
2
LE A G3W, LE T G3W, LE B G3W
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
amber
Werte
Values
true
green
blue
Einheit
Unit
Betriebstemperatur*
Operating temperature range*
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlassstrom pro Chip DC
Forward current per chip DC
(
T
board
=25°C)
Stoßstrom pro Chip DC
Surge current per chip DC
t
≤
10
μ
s, D = 0.1;
T
A
=25°C
Sperrspannung pro Chip DC
Reverse voltage per chip DC
(
T
board
=25°C)
Sperrstrom pro Chip DC
Reverse current per chip DC
V
R
= 0.5 V
*
Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
Condensation on the module has to be avoided.
T
board, op
T
board, stg
T
j
I
F
– 40 … + 85
– 40 … + 85
125
1000
°C
°C
°C
mA
I
FM
2000
mA
V
R
0.5
V
I
R
10
mA
2010-03-03
3
LE A G3W, LE T G3W, LE B G3W
Kennwerte
Characteristics
(
T
A
= 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
amber
Werte
Values
true
green
blue
Einheit
Unit
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 1 A
Dominantwellenlänge
3)
Seite 19
Dominant wavelength
3)
page 19
I
F
= 1 A
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Ι
Vrel max
Spectral bandwidth at 50 %
Ι
Vrel max
I
F
= 1 A
Abstrahlwinkel bei 50 %
Ι
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
Ι
V
Durchlassspannung pro Chip
4)
Seite 19
Forward voltage per chip
4)
page 19
I
F
= 1 A
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
I
F
= 1 A
Abstrahlende Fläche
Radiating Surface
Leuchtdichte
Luminance
I
F
= 1 A
Partieller Lichtfluss
Partial flux
acc. CIE 127:2007
Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Junction / base plate
(typ.)
(min.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(typ.)
(min.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(typ.)
λ
peak
λ
dom
λ
dom
λ
dom
Δλ
2
ϕ
627
611
617
625
26
516
509
520
533
44
120
460
456
464
469
30
nm
nm
nm
nm
nm
Grad
deg.
V
F
V
F
V
F
η
opt
A
Color
2.25
2.8
3.85
28
30
3.1
3.8
4.65
7
V
V
V
lm/W
mm²
3.2 x 2.1
(typ.)
L
V
26*10
6
41*10
6
9*10
6
cd/m²
(typ.)
Φ
LED, 120
0.82 x
Φ
LED, 180
lm
R
th JB
2.0 (typ.)
K/W
2010-03-03
4
LE A G3W, LE T G3W, LE B G3W
SMD NTC Thermistors
SMD NTC Thermistors
R
25
No. of R/T
characteristic
s*
EPCOS 8502
B
25/50
[K]
3940
B
25/85
[K]
3980
Resistance
Tolerance
Δ
R
N
/R
N
± 5%
B value
Tolerance
Δ
B/B
± 3%
P
NTC,max,25
[mW]
180
[Ω]
10k
* for further information please visit
www.epcos.com
R
T
=
R
N
⋅
e
1 1
B
⋅ ⎛
-- – ------
⎞
-
⎝
T T
N
⎠
Typische Thermistor Kennlinie
2) 5)
Seite 19
Typical Thermistor Graph
2) 5)
page 19
I
F
=
f
(
V
F
);
T
board
= 25 °C
10000
Ω
OHL02609
R
T
= NTC resistance in
Ω
at temperature T in K
R
N
= NTC resistance in
Ω
at rated temperature T
N
in K (T
N
= 298 K for test condition)
T, T
N
= temperature in K
e = base of the natural logarithm (e = 2.71828)
B = B value, material specific constant of the NTC
thermistor
R
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0 10 20 30 40 50 60 70
˚C 90
B
=
B
N
⁄
T
T
⋅
T
N
R
N
= ----------------
⋅
ln
------
-
T
–
T
N
R
T
T
NTC
2010-03-03
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
