Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 170 U 25
T
vj
= - 25°C...T
vj max
U
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Grenzlastintegral
I²t-value
T
C
=64°C
T
C
=38°C
T
vj
= 25°C, tp = 10 ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
T
vj
= 25°C, tp = 10ms
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
2500
2600
330
170
210
3700
3150
68450
49600
V
V
A
A
A
A
A
A²s
A²s
T
vj
= + 25°C...T
vj max
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 650 A
v
F
V
(TO)
r
T
V
FRM
max.
2,15
1,1
1,5
48
V
V
mΩ
V
1)
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
IEC 747-2
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=200A/µs, v
R
=0V
IEC 747-2, Methode / method II
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*tfr
di
F
/dt=200A/µs, v
R
=0V
T
vj
= 25°C,
v
R
=V
RRM
t
fr
max.
2,2
µs
1)
i
R
I
RM
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=500A,-di
F
/dt=200A/µs
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=500 A,-di
F
/dt=200A/µs
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=500A,-di
F
/dt=200A/µs
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
i
FM
=500A,-di
F
/dt=200A/µs
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
max.
max.
5
70
340
mA
mA
A
1)
Q
r
870
µAs
1)
t
rr
4
µs
1)
SR
0,004
µs/A
2)
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 4 Feb 1993 , R. Jörke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 170 U 25
Kühlfläche / cooling surface
Kathode / cathode,
Θ
=180°sin
Kathode / cathode, DC
U
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thJC
max.
max.
R
thCK
max.
T
vj max
T
c op
T
stg
0,04
140
-40...+140
-40...+150
°C/W
°C
°C
°C
0,26
0,25
°C/W
°C/W
Kühlfläche / cooling surface
einseitig / single-sided
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
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Durchmesser/diameter 23mm
M
G
typ.
20
110
12
C
50
Nm
g
mm
f = 50Hz
m/s²
Kühlkörper / heatsinks: K1,1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 4 Feb 1993 , R. Jörke
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- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
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- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
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