TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode
62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
VorläufigeDaten/PreliminaryData
V
CES
= 1200V
I
C nom
= 600A / I
CRM
= 1200A
TypischeAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
• USV-Systeme
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturT
vjop
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesV
CEsat
• SehrgroßeRobustheit
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• HoheLeistungsdichte
• IsolierteBodenplatte
• Standardgehäuse
TypicalApplications
• Highpowerconverters
• Motordrives
• UPSsystems
• Windturbines
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureT
vjop
• Lowswitchinglosses
• LowV
CEsat
• Unbeatablerobustness
• V
CEsat
withpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures
• 4kVAC1mininsulation
• PackagewithCTI>400
• Highcreepageandclearancedistances
• Highpowerdensity
• Isolatedbaseplate
• Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2016-08-08
revision:V2.2
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:CE
approvedby:MK
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 100°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
V
CES
1200
600
1200
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
0,17
0,18
0,18
0,046
0,048
0,052
0,40
0,49
0,52
0,062
0,098
0,11
16,0
29,5
35,5
45,5
70,0
78,0
2600
5,25
typ.
1,75
2,00
2,05
5,80
5,00
1,3
38,0
1,40
5,0
400
max.
2,20
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
0,0460 K/W
0,0226
-40
150
K/W
°C
V
A
A
V
I
C nom
I
CRM
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 600 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 600 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 600 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 23,0 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,62
Ω
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 0,62
Ω
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,62
Ω
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 0,62
Ω
6,35
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 11000 A/µs (T
vj
= 150°C)T
vj
= 125°C
R
Gon
= 0,62
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 600 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 35 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 0,62
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CE
approvedby:MK
dateofpublication:2016-08-08
revision:V2.2
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
600
1200
35000
33000
typ.
1,85
1,80
1,75
535
655
680
50,5
94,0
110
27,0
48,5
54,5
max.
2,45
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
0,0929 K/W
0,0303
-40
150
K/W
°C
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 600 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 600 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 600 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 600 A, - di
F
/dt = 11000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 600 A, - di
F
/dt = 11000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 600 A, - di
F
/dt = 11000 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 600 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CE
approvedby:MK
dateofpublication:2016-08-08
revision:V2.2
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
CTI
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
min.
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
M
G
-40
3,00
2,5
-
340
4,0
Cu
Al
2
O
3
29,0
23,0
23,0
11,0
> 400
typ.
20
0,42
125
6,00
5,0
max.
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:CE
approvedby:MK
dateofpublication:2016-08-08
revision:V2.2
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF600R12KE4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
1200
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
1200
1100
1000
900
800
700
I
C
[A]
600
500
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
CE
[V]
2,5
3,0
3,5
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
1100
1000
900
800
700
I
C
[A]
600
500
400
300
200
100
0
0,0
0,5
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
6
7
8
9
10
V
GE
[V]
11
12
13
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=0.62Ω,R
Goff
=0.62Ω,V
CE
=600V
150
140
130
120
110
100
90
E [mJ]
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
200
400
600
I
C
[A]
800
1000
1200
E
on
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 150°C
I
C
[A]
preparedby:CE
approvedby:MK
dateofpublication:2016-08-08
revision:V2.2
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
