BUZ73A datasheet, PDF - EEWORLD Datasheet

Datasheet> All Categories > The transistor> BUZ73A

BUZ73A: DescriptionPower Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB; CategoryThe transistor; File Size41KB，1 Pages; ManufacturerHarris; Websitehttp://www.harris.com/

Download Datasheet Parametric View All

BUZ73A Online Shopping

Suppliers	Part Number	Price	MOQ	In stock
	BUZ73A	-	-	View	Buy Now

BUZ73A Overview

Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

BUZ73A Parametric

Parameter Name	Attribute value
Is it Rohs certified?	incompatible
Maker	Harris
package instruction	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN code	EAR99
Is Samacsys	N
Shell connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Minimum drain-source breakdown voltage	200 V
Maximum drain current (Abs) (ID)	5.8 A
Maximum drain current (ID)	5.8 A
Maximum drain-source on-resistance	0.6 Ω
FET technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Maximum feedback capacitance (Crss)	80 pF
JEDEC-95 code	TO-220AB
JESD-30 code	R-PSFM-T3
JESD-609 code	e0
Number of components	1
Number of terminals	3
Operating mode	ENHANCEMENT MODE
Maximum operating temperature	150 °C
Package body material	PLASTIC/EPOXY
Package shape	RECTANGULAR
Package form	FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Celsius)	NOT SPECIFIED
Polarity/channel type	N-CHANNEL
Maximum power consumption environment	40 W
Maximum power dissipation(Abs)	40 W
Maximum pulsed drain current (IDM)	23 A
Certification status	Not Qualified
surface mount	NO
Terminal surface	Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal form	THROUGH-HOLE
Terminal location	SINGLE
Maximum time at peak reflow temperature	NOT SPECIFIED
transistor applications	SWITCHING
Transistor component materials	SILICON
Maximum off time (toff)	145 ns
Maximum opening time (tons)	80 ns
Base Number Matches	1

Preview

Download Datasheet

View All

МОЩНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (Power MOSFET)

HARRIS

является мировым лидером в производстве

Power MOSFET.

Выпускаются как n ка½аль½ые, так и p ка½аль½ые тра½зисторы, ½о первые используются чаще и имеют больший

диапазо½ токов и ½апряже½ий. Кроме этого выпускаются полевые тра½зисторы с управле½ием сиг½алом

логического уров½я, с огра½иче½ием тока, с защелкой по ½апряже½ию.

Области приме½е½ия: регуляторы, ко½вертеры, драйверы двигателей, реле и мощ½ых биполяр½ых тра½зисторов.

Полевые тра½зисторы имеют оче½ь высокое вход½ое сопротивле½ие и обыч½о могут управляться ½епосредстве½½о

от микросхемы без допол½итель½ых усилитель½ых каскадов.

Power MOSFET, серия IRF

Mega FET серия

p ка½ал

Максим. з½аче½ия

СИ

,В I

СИ

,A R

СИ(откр.)

,Ом

n ка½ал

TO 204

TO 220AB

n ка½ал

TO 247

DIP 4

IRFD1Z2

IRFD112

IRFD120

100

200

400

500

1000

0,4

0,8

1,3

5,6

9,2

14,0

28,0

40,0

0,45

0,80

3,3

5,0

9,0

18,0

33,0

0,4

2,0

3,3

5,5

10,0

16,0

23,0

2,5

4,5

8,0

14,0

20,0

4,3

1,0

3,0

6,0

12,0

19,0

3,5

6,5

11,0

3,2

0,8

0,3

0,54

0,27

0,16

0,077

0,055

2,4

0,8

1,5

0,8

0,4

0,18

0,085

3,6

1,8

1,0

0,55

0,3

0,2

3,0

1,5

0,85

0,4

0,27

3,5

0,6

1,2

0,6

0,3

0,2

1,5

0,8

0,5

IRF120

IRF140

IRF150

IRF510

IRF520

IRF530

IRF540

IRFP150

IRFD212

IRFD220

n ка½ал

p ка½ал

Максим. з½аче½ия

СИ

,В I

СИ

,A R

СИ(откр.)

,Ом

n ка½ал

0,1

0,047

0,22

0,080

100

0,040

p ка½ал

0,300

0,150

0,065

TO 220AB

RFP14N05

RFP25N05

RFP50N05

RFP22N10

RFP40N10

n ка½ал,

ка½ал,

IRF220

IRF230

IRF240

IRF250

IRF610

IRF620

IRF630

IRF640

IRFP250

IRFD310

IRF710

100

IRF320

IRF330

IRF340

IRF350

IRF360

IRF420

IRF430

IRF440

IRF450

IRF460

IRF730

IRF740

IRFP350

IRFP360

IRF820

IRF830

IRFP450

IRFP460

IRFPG40

p ка½ал

IRFD9120

IRF9510

IRF9520

IRF9530

IRF9540

IRF9620

IRF9630

IRF9640

200

RFP8P05

RFP15P05

RFP30P05

управле½ие логическим

уров½ем

0,800

RFP4N05L

0,100

RFP14N05L

0,047

RFP25N05L

0,022

RFP50N05L

1,050

RFP2N10L

0,300

RFP7N10LE

0,200

RFP12N10L

3,500

RFP2N20L

0,500

RFP8N20L

управле½ие логическим

уров½ем

0,225

RFP10P03L

100

IRF9130

IRF9140

IRF9230

IRF9240

IRFP9140

200

Более подроб½ую и½формацию

мож½о получить по адресу

www.semi.harris.com

или заказав литературу

½епосредстве½½о у

HARRIS.

Бла½к для заказа литературы

приведе½ в каталоге.

n ка½аль½ые MOSFET, серия BUZ

Максималь½ые з½аче½ия

СИ

,В

СИ

СИ(откр.)

,Ом

14,0,

0,1

30,0

0,04

9,0

0,25

100

19,0

0,1

200

5,8

0,6

Максималь½ые з½аче½ия

СИ

,В

СИ

СИ(откр.)

,Ом

200

9,5

0,4

3,0

1,8

400

5,5

1,0

500

4,0

2,0

1000

4,3

3,5

TO 220AB

BUZ71

BUZ11

BUZ72A

BUZ21

BUZ73A

BUZ32

BUZ76

BUZ60

BUZ42

RFP4N100

Улучше½½ые Power MOSFET

RLP1N08LE, RLP5N08LE

Имеют встрое½½ую схему,

огра½ичивающую max

з½аче½ия I

си

½а уров½е 1 А

и 5,5 А соответстве½½о.

Встрое½½ый стабилитро½

защищает от статического

электричества до 2 кВ.

RLP1N06CLE

Имеют схему огра½иче½ия

си

, защелку по ½апряже½ию

(урове½ь 60÷70 В),

встрое½½ый стабилитро½

для защиты от статического

электричества до 2 кВ.

Максим. з½аче½ия

СИ

,В I

СИ(огр.)

,A R

СИ(откр.)

,Ом

0,75

5,5

0,12

TO 220AB

RLP1N08LE

RLP5N08LE

Максим. з½аче½ия

СИ

,В I

СИ(огр.)

,A R

СИ(откр.)

,Ом

0,75

TO 220AB

RLP1N06CLE

Recommended Resources

An electric motor's electrode automatic regulator circuit

AVK200 home theater amplifier and maintenance 02

MC33035 schematic block diagram and three-phase full-wave brushless DC motor open-loop speed control wiring diagram

Electrical schematic diagram of B220 gantry planer (2)

Refrigerator undervoltage, overvoltage and power failure protector 2

Zener diode clamped NOT gate circuit

When compiling any project with WorkBench under Vista, sh.exe fails: When I compile any project with WorkBench under Vista, it will show that sh.exe has an error, and then WorkBench stops working. What is going on?...; yuandian Embedded System

What is the relationship between the speed ratio of the reduction mechanism and the lever ratio? What is the relationship between the force of the first gear and the last gear?: What is the relationship between the speed ratio of the reduction mechanism and the lever ratio? What is the relationship between the force of the first gear and the last gear?For example, in the figu...; 一沙一世 stm32/stm8

Question about ADC: The software uses ADC (ESP-12) to read the voltage and it reads 1V, but when it is measured with an ammeter or oscilloscope, it is only 0.5V. At this time, the voltage read by ADC will also become 0.5...; hau30729 Analog electronics

BlueNRG-LP related information: The BlueNRG-LP Bluetooth Low Energy wireless system-on-chip is an ultra-low power, programmable solution with a 2.4GHz advanced RF radio IP for ultra-low latency applications. The BlueNRG-LP SoC compl...; littleshrimp ST - Low Power RF

Android boot execution shell script: 宋体][b][color=rgb(51, 51, 51)][font=微软雅黑][size=18pt]Android executes shell script at startup[/size][/font][/color][/b][b][color=rgb(51, 51, 51)][/color][/b][/b][align=left] [/align][align=left][font=宋体...; 明远智睿Lan Industrial Control Electronics

I wish you all a happy new year and may everything come true soon!: [backcolor=inherit][font=微软雅黑][size=3][color=#000] I'm about to go home for the holidays. After a busy year, I'm going to reunite with my family and friends, chat together, watch TV together, and have...; eric_wang Talking

Shortcut: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

Popular Components