BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199
BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
Version 2018-02-06
SOT-23
(TO-236)
1.1
-0.2
+0.1
I
FAV
= 215 mA
V
F1
< 715 mV
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 85 V
I
FSM
= 2 A
t
rr1
< 4 ns
Typical Applications
Signal processing, (High-speed)
Switching, Rectifying
Commercial grade
1
)
Features
BAV199: Extremely low leakage
BAS16, BAW56, BAV99, BAV70:
Very high switching speed
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Taped and reeled
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
3000 / 7“
0.01 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, (Schnelles)
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung
1
)
Besonderheiten
BAV199: Extrem niedriger Sperrstrom
BAS16, BAW56, BAV99, BAV70:
Sehr schnelles Schalten
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
Konfliktmineralien
1
)
RoHS
EL
V
2.9
0.4
+0.1
-0.05
±0.1
3
2.4
±0.2
Type
Code
1.3
±0.1
EE
WE
1
1.9
±0.1
2
Mechanische Daten
1
)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
BAS16
3
BAV70
Type
Code
5D
3
Single
Diode
1
2
Common
Cathode
1
2
Type
Code
A4
1 = A 2 = n. c. 3 = C
BAW56
3
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
BAV99 | BAV199
Type
Code
A1
3
Common
Anode
1
2
Series
Connection
1
2
Type
Code
A7 | PX
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Maximum ratings
2
)
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil)
Maximum average forward current
Dauergrenzstrom
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Grenzwerte
2
)
P
tot
I
FAV
I
FRM
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 ms
t
p
≤ 1 µs
BAS16, BAW56, BAV99, BAV199
BAV70
DC
I
FSM
V
RRM
V
R
T
j
T
S
350 mW
3
)
215 mA
3
)
125 mA
3
)
300 mA
3
)
0.5 A
1A
2A
85 V
100 V
75 V
-55...+150°C
-55…+150°C
single diode loaded – eine Diode belastet
both diodes loaded – beide Dioden belastet
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Reverse voltage – Sperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C and per diode, unless otherwise specified – T
A
= 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Mounted on 3 mm
2
copper pads per terminal – Montage auf 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199
Characteristics
BAS16, BAW56
BAV99
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1
)
Leakage current
Sperrstrom
1
)
T
j
= 25°C
1 mA
10 mA
I
F
=
50 mA
150 mA
V
R
=
V
R
=
20 V
25 V
75 V
25 V
75 V
V
F
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
−
< 30 nA
< 1.0 µA
< 30 µA
< 50 µA
BAV70
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
< 25 nA
−
< 2.5 µA
< 30 µA
< 50 µA
typ. 2 pF
< 4 ns
< 4 ns
< 400 K/W
2
)
< 3000 ns
Kennwerte
BAV199
< 900 mV
< 1.0 V
< 1.1 V
< 1.25 V
−
−
< 5 nA
−
< 80 nA
T
j
= 25°C
I
R
I
R
C
T
t
rr
R
thA
T
j
= 150°C
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
Reverse recovery time
Sperrverzug
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= 10 mA über/through
I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
120
[%]
100
1
[A]
10
-1
80
T
j
= 125°C
60
10
-2
40
10
-3
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
I
F
10
-4
T
j
= 25°C
0
V
F
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Power dissipation versus ambient temperature
2
)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
2
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
2
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on 3 mm
2
copper pads per terminal
Montage auf 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
Energy Infrastructure?
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
