BC807 ... BC808
BC807 ... BC808
SMD General Purpose PNP Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
Version 2017-01-19
SOT-23
(TO-236)
1.1
-0.2
+0.1
I
C
= -800 mA
V
CES
= -30 ...-50 V
h
FE
~ 160/250/400 P
tot
= 310 mW
T
jmax
= 150°C
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
1
)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Taped and reeled
3000 / 7“
0.01 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
1
)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
Mechanische Daten
1
)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
2.9
±0.1
0.4
+0.1
-0.05
3
2.4
±0.2
Type
Code
1.3
±0.1
RoHS
1
1.9
±0.1
2
1=B
2=E
3=C
Dimensions - Maße [mm]
Type
Code
BC807-16 = 5A or 5CR
BC807-25 = 5B or 5CS
BC807-40 = 5C or 5CT
BC808-16 = 5E or 5CR
BC808-25 = 5F or 5CS
BC808-40 = 5G or 5CT
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
BC817, BC818
Maximum ratings
2
)
BC807
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
E-B short
B open
C open
- V
CES
- V
CEO
- V
EBO
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
50 V
45 V
5V
EL
V
Pb
EE
WE
Grenzwerte
2
)
BC808
30 V
25 V
310 mW
3
)
800 mA
1A
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
1
2
3
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BC807 ... BC808
Characteristics
T
j
= 25°C
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
1
)
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 500 mA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
2
)
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 500 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
- V
CB
= 20 V, (E open)
- V
CB
= 20 V, T
j
= 125°C, (E open)
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
- V
EB
= 4 V, (C open)
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 mA, f = 50 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- V
CB
= 10 V, - I
E
=i
e
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
120
[%]
100
Kennwerte
Min.
100
160
250
40
–
–
–
–
–
–
–
–
Typ.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100 MHz
12 pF
< 420 K/W
2
)
Max.
250
400
630
–
0.7 V
1.3 V
1.2 V
100 nA
5 µA
100 nA
–
–
Group -16
Group -25
Group -40
h
FE
h
FE
- V
CEsat
- V
BEsat
- V
BE
- I
CB0
- I
EB0
f
T
C
CBO
R
thA
80
60
40
20
P
tot
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.
1
)
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
2
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
京公网安备 11010802033920号
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