IMP3203
半桥驱动芯片
极限工½范围
如果强度超过下面的极限工½状态很可½会损坏器件。超过这些状态器件可½不运行，
而在推荐的工½条件下器件是½正常运行的，这些极限工½条件下是不推荐½用的。下表中
的所有极限电压参数全部是对地的电压，所有的电流是从管脚流进去的电流。另外，超出推
荐工½状态可½会½响器件的可靠性。
符号
VB
VS
VHO
VLO
Vcc
VIN
dVS/dt
P
D
高压侧浮动电源电压
高压侧浮动偏½电压
高压侧浮动输出电压
½压侧输出电压
½压侧电源电压
逻辑输入电压（HIN&LIN)
偏½电压的压摆率
在
T
A
≤+25°C，PD=(T
JMAX
-T
A
)Rth
JA
时的封装功耗，DIP-8
在
T
A
≤+25°C，PD=(T
JMAX
-T
A
)Rth
JA
时的封装功耗，SOIC-8
芯片到环境的热阻，DIP-8
芯片到环境的热阻，SOIC-8
工½温度
储藏温度
管脚温度
(锡焊，10秒)
-25
-55
参数
最小
-0.3
VB-25
VS-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
－
最大
625
VB+0.3
V
VB+0.3
VCC+0.3
25
Vcc+0.3
50
1
0.625
125
200
125
150
300
°C
°C/W
W
V
V
V/ns
单½
Rth
JA
TA
TSTG
TL
推荐工½条件
为了保证器件正常工½，芯片必须工½在以下工½条件。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
Vin
T
J
高压侧浮动电源电压
稳定状态高压侧浮动电源偏½电压
高压侧浮动输出电压
½压侧工½电源
½压侧输入电压
逻辑输入电压（HIN&LIN）
结温
参数
最小
VS + 10
-0.3
Vs
10
0
0
-40
最大
VS + 20
600
V
B
20
Vcc
Vcc
125
V
V
V
°C
V
单½
Daily Silver IMP
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3
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