InGaN-High Brightness Lumineszenzdiode (527 nm, High Power)
InGaN High Brightness Light Emitting Diode (527 nm, High Power)
F 0527B
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
• Typ. Gesamtleistung: 2.4mW @ 20 mA (im
5mm Radial Gehäuse)
• Optische Effizienz: 3 lm/W (5mm Gehäuse)
• Hohe Helligkeit durch spezielle OSRAM
ATON
®
-Technologie
• Leitfähiges Substrat
• Gute Stromverteilung durch SiC-Substrat
• Chipgröße 260 x 260
• Wellenlänge 527 nm (grün)
• Technologie: InGaN
• ESD-Klasse 2
Anwendungen
• Informationsanzeigen im Außenbereich
• optischer Indikator
• Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten,
Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung)
• Innenbeleuchtung im Automobilbereich
• Markierungsbeleuchtung
• Signal- und Symbolleuchten
• Scanner
Features
• Typ. radiant power: 2.4 mW @ 20 mA (in 5mm
Radial package)
• Optical efficiency: 3 lm/W (5mm package)
• High Brightness due to special OSRAM
ATON
®
-technology
• Conductive substrate
• Good current spreading by SiC substrate
• Chipsize 260 x 260
• Wavelength 527 nm (green)
• Technology: InGaN
• ESD class 2 rating
Applications
• Outdoor displays
• Optical indicators
• backlighting (LCD, switches, keys, displays,
illuminated advertising, general lighting)
• Interior automotive lighting
• Marker lights
• Signal and symbol luminaire
• Scanner
Typ
Type
F 0527B
Bestellnummer
Ordering Code
on request
Gehäuse
Package
Grün (527 nm) emittierender InGaN Chip mit spezieller
OSRAM ATON
®
-Form zur effizienten Lichtauskopplung
Green (527 nm) light emitting InGaN diode with special
OSRAM ATON
®
shape for enhanced light outcoupling
1
2002-02-21
F 0527B
Elektrische Werte
(gemessen in 5mm Radial package,
T
A
= 25
°C)
Electrical values
(measured in 5mm Radial package,
T
A
= 25
°C)
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
rel max,
Spectral bandwidth at 50% of
I
rel max
I
F
= 20 mA
Sperrspannung
reverse voltage
I
R
= 10
µA
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 20 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Durchlaßspannung,
I
F
= 20 mA,
Forward voltage,
I
F
= 20 mA
Gesamtstrahlungsfluß
4)
Radiant power
4)
I
F
= 20 mA
Temperaturkoeffizient
2)
von
λ
dom
Temperature coefficient
2)
of
λ
dom
I
F
= 50 mA; -10°C < T < 100°C
Temperaturkoeffizient
2)
von V
F
Temperature coefficient
2)
of V
F
IF = 50 mA; -10°C < T < 100°C
Symbol
Symbol
min.
λ
peak
Wert
1)
Value
1)
typ.
525
max.
nm
Einheit
Unit
λ
dom
520
527
535
nm
∆λ
36
nm
V
R
5
V
t
r
,
t
f
30
ns
V
F
Φ
e
2.9
1.4
3.65
2.4
4.0
V
mW
TC
λdom
0.03
nm/K
TC
V
-3.6
mV/K
2002-02-21
2
F 0527B
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Chipkantenlänge (x-Richtung, Oberseite)
Length of chip edge (x-direction, top side)
Chipkantenlänge (y-Richtung, Oberseite)
Length of chip edge (y-direction, top side)
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
Chiphöhe
Die height
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
Symbol
Symbol
min.
0.235
0.235
Wert
1)
Value
1)
typ.
0.26
0.26
50.8
225
100
250
120
275
140
max.
0.285
0.285
mm
mm
mm
µm
µm
Einheit
Unit
L
x
L
y
D
H
d
Bezeichnung
Parameter
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Rückseitenmetallisierung
Metallization backside
Verbindung Chip - Träger
Die bonding
Wert
Value
Au
Au-partiell
Au-partial
Kleben
Epoxy bonding
2002-02-21
3
F 0527B
Grenzwerte
3)
(T
A
= 25°C)
Maximum Ratings
3)
Bezeichnung
Parameter
Maximale Betriebstemperatur
Maximum Operating temperature range
Maximale Lagertemperatur
Maximum storage temperature range
Maximaler Durchlaßstrom
Maximum forward current
Maximaler Pulsstrom, tp < 10µs, D=0.005
Maximum pulse current
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
Elektrostatische Durchbruchsspannung (HBM)
Electrostatic Discharge Threshold (HBM)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
I
F
I
P
T
j
ESD
th
Wert
Value
-55°C...+100°C
-55°C...+100°C
30
200
125
1000
Einheit
Unit
°C
°C
mA
mA
°C
V
2002-02-21
4
F 0527B
Durchlassstrom
2)
I
F
= f (V
F
)
Forward Current
T
A
= 25 °C, curve indicated as true green
Relative Lichtstärke
2)
I
V
/I
V
(20mA) = f (I
F
)
Relative Luminous Intensity
T
A
= 25 °C, curve indicated as true green
OHL01619
I
F
10
2
mA
10
1
10
1
OHL00035
I
V
I
V (20 mA)
10
0
10
0
blue
10
-1
verde,
true green
10
-1
10
-2
10
-2
verde
true green
blue
2.5
3.5
4.5
5.5 V 6.5
10
-3 -2
10
10
-1
10
0
10
1
mA 10
2
10
-3
1.5
V
F
Zulassige Impulsbelastbarkeit
2)
I
F
= f (t
P
)
Permissible Pulse Handling Capability
Duty cycle D = parameter, T
A
= 25 °Cr
I
F
Zulassige Impulsbelastbarkeit
2)
I
F
= f (t
P
)
Permissible Pulse Handling Capability
Duty cycle D = parameter, T
A
= 85 °Cr
0.35
I
F
A
0.30
0.25
OHL01411
D
=
T
P
t
t
P
I
F
T
D
=
0.30
OHL01412
I
F
A
0.25
D
=
T
P
t
t
P
I
F
T
0.20
0.20
0.15
0.10
0.05
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.15
D
=
0.10
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
0.05
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
2002-02-21
5
t
p
京公网安备 11010802033920号
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