Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT 285 N 12...16
T
vj
= - 40°C...T
vj max
T
vj
= - 40°C...T
vj max
T
vj
= + 25°C...T
vj max
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 800A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
A
= 5Ω
Ω
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
GK
≥
10Ω
Ω
i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs, t
G
= 20µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= 350A
v
RM
= 100V, V
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/µs, -di
T
/dt = 10A/µs
5. Kennbuchstabe / 5th letter O
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
T
C
= 92°C
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6. Kennbuchstabe / 6th letter F
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1200, 1400
1600
1200, 1400
1600
1300, 1500
1700
450
285
9100
8000
414000
320000
250
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A²s
A²s
A/µs
1000
V/µs
v
T
V
(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
t
q
max.
1,48
0,8
0,65
V
V
mΩ
Ω
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
200
2,0
10
5
0,2
300
1200
70
3,0
typ.
V
ISOL
250
3,0
3,6
µs
kV
kV
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
MOD-MA; R. Jörke
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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pro Modul / per module,
Θ
= 180°sin
pro Zweig / per arm,
Θ
= 180°sin
pro Modul / per module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per module
pro Zweig / per arm
N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,059
0,117
0,056
0,111
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCK
T
vj max
T
c op
T
stg
0,020 °C/W
0,040 °C/W
135 °C
- 40...+135 °C
- 40...+140 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
Toleranz / tolerance ±15%
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AlN
M1
M2
G
6 Nm
12 Nm
Toleranz / tolerance +5% / -10%
typ.
800 g
17 mm
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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N
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Phase Control Thyristor Module
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N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[
°
C / W
]
0,0031
τ
n
[
s
]
0,0097
0,0259
0,0359
0,0366
0,0009
0,0080
0,1100
0,6100
3,0600
Analytische Funktion:
Z
thJC
t
−
=
R
thn
1
−
e
τ
n
n
=
1
n
max
∑
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京公网安备 11010802033920号
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