Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 829 N 20 ...26
T
vj
= - 40°C...T
vj max
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak foward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state voltage
v
T
= A + B x i
T
+ C x ln (i
T
+ 1) + D x
√
i
T
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1800 A
T
C
= 85 °C
T
C
= 60 °C
T
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
DIN IEC 747-6
f=50 Hz, v
L
= 10V, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
V
RSM
I
TRSMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
2000
2400
2000
2400
2100
2500
2200
2600
2200
2600
2300
2700
1800
829
1145
17500
15500
1531
1201
50
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
1)
T
vj
= - 40°C...T
vj max
T
vj
= + 25°C...T
vj max
3
A²s *10
3
A²s *10
A/µs
(dv
D
/dt)
cr
1000
V/µs
v
T
V
T(TO)
r
T
A= 1,0069
B= 3,381E-04
C=-0,02723
D= 8,5423E-03
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
1,78
0,95
0,425
V
V
mΩ
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
250
1,5
10
5
0,2
600
2000
mA
V
mA
mA
mV
mA
mA
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
GK>
= 10
Ω
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, vR = V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
i
D
, i
R
t
gd
max.
max.
100
4
mA
µs
SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 829 N 20 ...26
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
t
q
typ.
350
µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, ? =180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ=180°sin
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
R
thCK
max.
max.
T
vj max
T
c op
T
stg
0,0035
0,0070
125
-40...125
-40...140
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
0,0265
0,0240
0,0445
0,0420
0,0585
0,0560
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
Seite 3
page 3
F
G
typ.
12 ...24
540
32
C
50
kN
g
mm
f = 50Hz
m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 829 N 20 ...26
N
SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther
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Zn. Nr.: 1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 829 N 20 ...26
N
Kühlung
cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical ementes of transient thermal impedanceZ
thJC
for DC
Pos.n
1
0,001230
0,001460
0,001200
0,001440
0,001280
0,001470
2
0,002720
0,005630
0,002720
0,005470
0,002910
0,006130
3
0,003330
0,060900
0,003580
0,061100
0,009550
0,134000
4
0,008230
0,239000
0,009650
0,276000
0,003560
0,741000
5
0,008490
1,240000
0,004650
4,300000
0,038700
8,810000
6
7
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
Σ
n
max
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
τ
n
))
n=1
SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 829 N 20 ...26
N
4.000
3.500
3.000
2.500
i
T
[A]
2.000
1.500
1.000
500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
T
[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristics i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj
max
SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther
A 122/99
Z. Nr.: 2
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京公网安备 11010802033920号
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