European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
TT 430 N
screwing depth
max. 18,0
M10
plug A 2,8 x 0,8
4K
5G
7K
6G
31
3
50
44
1
2
25
100
112
6
124
144
25
A
G
K
G
K
K AK
VWK February 1996
TT 430 N,TD 430 N, DT 430 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-Stoßspitzenspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
non-repetitive peak forward off-
state voltagereverse voltage
non-repetitive peak voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
I
2
t-value
critical rate of rise of on-state
critical rate of rise of off-state
t
vj
= -40°C... t
vj max
t
vj
= -40°C... t
vj max
t
vj
= +25°C... t
vj max
V
DRM
,
V
RRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I
2
t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
500 V/µs
1000 V/µs
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
max. 1,78
0,95
0,45
max.250
max. 2,2
max. 10
max. 5
max. 0,25
max.300
max.1500
max.100
V
V
mΩ
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
1800 2000 2200
2400
1800 2000 2200
2400
1900 2100 2300
2500
800
430
510
14
12
V
1)
V
V
t
c
= 85°C
t
c
= 75°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, I
GM
= 1 A, di
G
= 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter F
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 1,5 kA
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6, t
vj
= 25°C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs,-di
T
/dt = 10A/µs
5.Kennbuchstabe/5th letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
pro Modul/per module,
Θ
=180°
pro Zweig/per arm,
Θ
=180° sin
pro Modul/per module, DC
pro Zweig/per arm, DC
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
A
A
A
kA
kA
3
A
2
s
980 . 10
2
720 . 10
3
A s
150 A/µs
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-
Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
t
gd
t
q
max.4
typ. 300
µs
µs
V
ISOL
Isolations-Prüfspannung
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
insulation test voltage
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
3
3,6
max. 0,0325
max. 0,0650
max. 0,0310
max. 0,0620
max. 0,01
max. 0,02
125
-40...+125
-40...+130
1
AlN
6
12
typ. 1500
19
kV
kV
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
R
thJC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Seite
Si-Element mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für
elektrische Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
1)
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
Nm
Nm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
2400 V auf Anfrage / 2400 V on demand
f = 50 Hz
g
mm
50 m/s²
TT 430 N
800
700
P
TAV
600
[W]
500
400
300
200
40
100
0
0
TT 430 N/1
180°
120°
90°
60°
0
Θ
θ=30°
t
C
[°C]
140
120
0
100
80
60
Θ
20
100
200
300
400
500
I
TAV
[A]
600
0
TT 430 N/2
θ=30°
100
200
60°
300
90°
400
120°
180°
500
600
I
TAV
[A]
Bild / Fig. 1
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
1200
DC
1000
P
TAV
[W] 800
600
400
200
0
0
TT 430 N/3
140
120
180°
0
θ
60°
θ=30°
90°
120°
t
C
[°C]
100
80
60
40
θ=30°
20
200
400
600
800
I
TAV
[A]
1000
0
100
200
300
400
500
600
I
TAVM
[A]
700
800
60°
90°
120°
180°
DC
0
θ
TT 430 N/4
Bild / Fig. 3
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
3500
3000
P
tot
[W]
2000
0.015
0.010
R
thCA
[°C/W]
R-Last
R-load
L-Last
L-load
5000
0.010
R
thCA
[°C/W]
0.015
0.020
0.025
0.030
0.020
0.025
0.030
4000
P
tot
[W]
3000
0.040
1500
1000
500
0
0
0.050
0.060
0.080
0.100
0.120
0.150
0.200
0.300
2000
0.040
0.050
0.060
1000
0.080
0.100
0.120
0.150
0.200
0.300
0
20
40
60
80
100 120 0
200
400
600
800
I
d
[A]
1200
0
20
40
60
80
100 120 0 200 400 600 800 1000
I
d
[A]
1400
TT 430 N/5
t
A
[°C]
TT 430 N/6
t
A
[°C]
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
TT 430 N
1600
1400
P
tot
[W]
1000
800
600
400
200
0
0
0.030
0.040
0.050
0.060
0.080
0.100
0.120
0.150
0.200
0.300
0.400
0.600
0.060
0.020
R
thCA
[°C/W]
5000
0.010
0.015
R
thCA
[°C/W]
4000
P
tot
[W]
3000
0.020
0.025
0.030
2000
0.040
1000
0.100
0.200
20
TT 430 N/7
40
60
80
100 120 0 200
400 600
800
1200
0
0
20
TT 430 N/8
40
60
80
100 120 0
200
400
600
800
1200
t
A
[°C]
I
RMS
[A]
t
A
[°C]
I
RMS
[A]
Bild / Fig. 7
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the
circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
12
10
I
T(OV)M
[kA] 8
a
6
b
4
1000
700
500
400
300
200
100
0.02
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
t [s]
0.6 0.8 1
10000
5000
4000
3000
Q
r
[µAs]
Bild / Fig. 8
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
phase I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
iTM= 2000A
1000A
500A
100A
50A
20A
2
0
0.01
TT 430 N/9
1
TT 430 N/10
2
3
4 5 6 7
10
20
30 40 50
-di/dt [A/µs]
70 100
Bild / Fig. 9
Grenzstrom je Zweig I
T(OV)M
. Belastung aus Leerlauf, V
RM
= 0,8 V
RRM
Maximum overload on- state current per arm I
T(OV)M
. Surge current under
no-load conditions, V
R
= 0,8 V
RRM
a - t
A
= 35 °C, verstärkte Luftkühlung / forced cooling
b - t
A
= 45 °C, Luftselbstkühlung / natural cooling
Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q
r
= f(-di/dt)
t
vj
= t
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
3
2
10
3
5
3
2
10
1
v
G
[V]
5
4
3
2
b c
a
t
gd
[µs]
5
3
2
1
10
5
3
2
10
0
5
4
3
2
10
0
5
3
2
-1
a
b
10
-1
10
-2
2
3 4 5
10
-1
2
3 4 5
10
o
2
3
4 5
10
1
10
10
-1
2
3
5
10
0
2
3
5
10
1
2
3
5
10
2
TT 430 N/11
i
G
[A]
TT 430 N/12
i
G
[A]
Bild / Fig. 11
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v
G
= f(i
G
), v
D
= 6 V
Parameter:
a
b
c
___________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t
g
[ms] 10
1
0,5
___________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W]
20
40
60
___________________________________________________
Bild / Fig. 12
Zündverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
G
)
t
vj
= 25°C, di
G
/dt = i
GM
/1µs
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
TT 430 N
0.08
0.07
Z
(th) JC
0.06
[
°
C/W]
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
10
-3
TT 430 N/13
0.1
0
Θ
0.08
Z
(th)JC
[°C/W]
0.06
0
θ
θ=
30°
60°
90°
120°
180°
10
-2
-1
0
0.04
30°
60°
90°
120°
180°
DC
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t [s]
10
2
0.02
10
10
10
1
t [s]
10
2
0
10
-3
TT 430 N/14
Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
0,00076
2
0,0086
3
0,0114
0,101
4
0,0223
0,56
5
0,0221
3,12
6
7
0,00137 0,00486
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
Z
thJC
=
n=1
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
